代理肖特基STTH1002CT

肖特基二管具有开关频率高、正向压降低等优点，但肖特基二管的反向击穿电压比较低，一般不会**60V，高仅约为100V，以致于限制了肖特基二管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV之间的高速二管、PFC升压用600V二管等情况下时，只有使用快速恢复外延二管和**快速恢复二管。

肖特基二管结构：
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳并联电容，LS是引线电感，RS是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，Cj和Rj分别为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的函数）。 　大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级**半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子**自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流，终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。
在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压（即金属加正电压，半导体加负电压）时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。

肖特基二管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正，以N型半导体B为负，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

注意事项
肖特基二管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出等场合用作高频整流，在高频率下用于检波和混频，肖特基二管在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二管，在高速计算机中也被广泛采用。除了普通PN结二管的特性参数之外，肖特基二管用于检波和混频的电气参数还包括中频阻抗，指的就是肖特基二管施加额定本振功率时对中频所呈现的阻抗。以上就是小编对于肖特基二管具体介绍，希望对大家有所借鉴作用。

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