合肥CGH40045F微波射频 毫米波

射频**作为手机通信的**组件，直接影响着手机的信号收发。对早期5G智能手机而言，射频**是推动5G手机价格上涨的主要原因之一，并且由着5G手机频段的增加，射频**的复杂度也大大提高。尽管射频**集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
多天线收发（MIMO）和载波聚合（CA）技术在5G时代继续延续，使得射频**的复杂度大大上升。通过对三星Galaxy S10+ 5G（Sub 6G）和4G版的拆机对比，射频****从4G版的31美金上升到46美金，价格上升幅度接近50%，射频**BOM占比从4G版本的7%提高到了9%。对早期5G智能手机而言，射频**是推动5G手机价格上涨的主要原因之一。
5G射频**芯片集成度进一步提高，国频产业快速发展：射频**从过去的分立器件、FEMiD，再到PAMiD，集成度逐渐提高，主要原因是受到基带芯片发展的推动。目前射频**市场主要由Skyworks、Broadcom、Qorvo、MurataIDM厂商垄断。我们认为，高集成度、一体化是射频**产品的**竞争力，拥有全线技术工艺能力的供应商会占据大部分市场。尽管射频**集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
2019年国内运营商5G资本投入预算为400亿元，追赶年初预计的300亿元。5G投入提速利好整个智能手机产业链。高通、海思和三星的基带芯片均已出货。2019Q3随着各5G手机的上市，市场有望迎来新一轮换机潮。我们预计2020年5G手机出货量有望**过2亿部，其中预计苹果7000万台、华为、三星各5000万台，小米、OV等合计3000万台。
投资建议：5G时代射频**变革大，受益首当其冲。从**范围来看，我们认为4G时代的四成员Skyworks、Qorvo、Murata和Avago（Broadcom）先受益，有望继续保持**。同时重点关注切入射频**的基带芯片厂商：高通、海思（未上市）、MTK、紫光展锐（未上市）。国内来看，推荐射频开关、LNA**卓胜微，手机天线供应商信维通信、硕贝德、立讯精密；以及滤波器、电感**麦捷科技。

Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅较长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有的高频、功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有的功率附加效率。与硅或化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。

Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供佳的瞬时宽带性能。与硅或化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与硅和化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。