目前主要用于LCD透明导电玻璃,建筑LOW-E 玻璃以及微电子产业。
在光学,微电子等领域有着广泛的应用前景,是目前**上广泛关注的功能材料。
铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂,其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金,其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定,电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm,对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是,硼在硅中的分凝系数为0.8,会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应,即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布,并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。
多晶硅是一种重要的溅射靶材材料,使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层,可以使基体材料具备较好的光学、介电及抗蚀性能,被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。本公司采用美国GT-Solar公司的多晶硅铸锭炉的铸造长晶工艺可制备出的硅靶材材料,具有纯度高、导电性优异、晶粒均匀等特点,硅材料尺寸可达1m×1m。
世高 主营靶材— 高性能薄膜新材料,属国家**,于2007年成立溅射靶材公司。在交利的江苏苏州昆山设立了生产和研发基地。世高一直致力于高性能材料的研发和生产,为靶材的国产化作出了重要贡献。 世高新材料的产品广泛应用于半导体显示、半导体芯片、光伏太阳能、低辐射玻璃、光学光通讯、装饰镀工具镀等行业。公司经过多年努力,成功获得行业客户和**的认可,积累了一批优质稳定的行业客户,包括日久光电、 蓝思科技、芜湖长信、信利光电、镀邦光电 、伯恩光学等。