氮化铝也可以作热电偶保护套,在空气中800一一1000℃铝池中连续浸泡3000hI,J,I--Lk__,没有侵蚀破坏。
氮化铝特性
(1)热导率高(约320W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;
(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;
(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;
(4)机械性能好,抗折强度**Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结;
(5)纯度高;
(6)光传输特性好;
(7)无毒;
(8)可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。
AlN可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望
在室温下,物质表面仍能探测到5-10纳米厚的氧化物薄膜。直至1370℃,氧化物薄膜仍可保护物质。但当温度**1370℃时,便会发生大量氧化作用。直至980℃,氮化铝在氢气及二氧化碳中仍相当稳定
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