结果表明:随氮分压的,Ta N薄膜的微结构明显变化,同时Ta N薄膜的方阻也有显著趋势;随着沉积温度的提高,Ta N薄膜的方阻有减小趋势,当温度达到400℃时,制备出了方阻小于100Ω/□的薄膜;随着沉积时间的加长,Ta N薄膜的方阻也出现减小的现象;后制备出工艺稳定性好的方阻50Ω/□的Ta N薄膜
氮化钽为黄绿色结晶,属型结晶,相对密度为15.6。晶格常数为a=0.4336nm,c=0.4150nm。熔点为2950℃,显微硬度为3200kg/mm2,转化点温度为17.8K。
氮化钽靶材合成
1、将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得;
2、以金属钽和氮气为原料制备氮化钽,反应式如下:2Ta+N2=2TaN。
用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性
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