成都磁控溅射氮化钽靶材规格

结果表明:随氮分压的,Ta N薄膜的微结构明显变化,同时Ta N薄膜的方阻也有显著趋势;随着沉积温度的提高,Ta N薄膜的方阻有减小趋势,当温度达到400℃时,制备出了方阻小于100Ω/□的薄膜;随着沉积时间的加长,Ta N薄膜的方阻也出现减小的现象;后制备出工艺稳定性好的方阻50Ω/□的Ta N薄膜

研究表明，影响氮化钽薄膜结合力的主要因素为溅射压力和加热温度，氮分压比、溅射电流为次要因素；氮分压对氮化钽薄膜的硬度影响较大

利用磁控反应溅射技术制备氮化钽薄膜，对磁控反应溅射制备氮化钽薄膜的工艺参数（包括氮分压比、加热温度、溅射压力、溅射电流）用正交设计进行优化

氮化钽靶材合成
1、将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得；
2、以金属钽和氮气为原料制备氮化钽，反应式如下：2Ta+N2=2TaN。

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