西安磁控溅射五氧化二钽靶材 Ta2O5靶材

当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者较小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品

中国航天科工飞航技术研究院的刘华松等研究人员采取正交实验法系统地研究了离子束溅射制备的Ta2O5薄膜光学带隙，基于Cody-Lorentz介电常数物理模型，通过光谱反演计算获得薄膜的禁带宽度和Urbach带尾宽度，后得到了Ta2O5薄膜禁带宽度和Urbach带尾宽度的调整方法

又称“氧化钽”。化学式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,结晶形白色粉末或无色难溶性粉末。相对密度8.2,熔点1872℃±10℃。有多种同素异形体,其中β-Ta2O5在1360℃以下稳定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔点以下稳定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、矿酸类和碱溶液,溶于氢氟酸和熔融的碱或焦硫酸钾。

五氧化二钽是一种很好的高折射率镀膜材料 ,折射率 2 .1 ,它与二氧化硅组合镀制的增透膜、反射膜、干涉滤光片等膜层牢固、化学稳定性好、抗激光损伤能力强。

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