氮化钽为黄绿色结晶,属氯化钠型结晶,相对密度为15.6。晶格常数为a=0.4336nm,c=0.4150nm。熔点为2950℃,显微硬度为3200kg/mm2,转化点温度为17.8K。氮化钽为黑色六方结晶。相对密度为13.4,熔点为3090℃,显微硬度为1100kg/mm2,热导率为9.54W/(m·K),电阻率为128μΩ·cm在石英玻璃上通过改变基底温度生长了系列面心立方结构的δ-TaNx多晶薄膜,X射线衍射及扫描电镜形貌结果显示,薄膜的平均晶粒尺寸随基底温度的升高逐渐增大。电输运测量结果表明,δ-TaNx薄膜在~5 K以下表现出类似**导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10-30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿(FIT)导电机制主导着电阻率的温度行为。因此,多晶δ-TaNx薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数利用磁控反应溅射技术制备了氮化钽薄膜,利用TEM、XRD技术研究了薄膜的微观结构。研究结果表明:薄膜中多相共存;薄膜晶粒细小(16nm左右);同时还发现,在一定工作压力下,随着氮分压的提高,氮化物晶粒形成的取向改变,即平行于基体表面生长的晶面会有改变。
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