上海磁控溅射氮化钽靶材定制 TaN靶材

通过射频磁控溅射的方法,采用TaN靶,在石英玻璃基底上成功制备了系列面心立方结构的多晶δ-TaNx薄膜,对薄膜的晶体结构、微观形貌、电学性质进行了系统研究,分析了溅射条件对薄膜结构和电输运性质的影响,并对δ-TaNx薄膜在不同温区的导电机制进行了探讨氮化钽为黑色六方结晶。相对密度为13.4，熔点为3090℃，显微硬度为1100kg/mm2，热导率为9.54W/(m·K)，电阻率为128μΩ·cm氮化钽---暗灰色粉末。六方晶结构，晶格常数α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔点3090℃，电阻率(180±10) μΩ·cm。显微硬度(106±75)MPa，**导转变温度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、盐酸和氟氢酸，易被硫酸和硝酸和过氧化氢混合液氧化。易和碳化钽生成类质同晶混合物，和氮化铪、碳化铪互溶。在1400℃以上真空中加热易分解。与氢氧化钾作用分解放出氨。由五氯化钽和氨气反应或700～1000℃下使钽粉和氮气反应生成。冶金中利用氮化钽分解制取高纯钽粉。利用其电阻温度小的特点制造电阻薄膜器件。在石英玻璃上通过改变基底温度生长了系列面心立方结构的δ-TaNx多晶薄膜,X射线衍射及扫描电镜形貌结果显示,薄膜的平均晶粒尺寸随基底温度的升高逐渐增大。电输运测量结果表明,δ-TaNx薄膜在~5 K以下表现出类似**导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10-30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿(FIT)导电机制主导着电阻率的温度行为。因此,多晶δ-TaNx薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数

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