三管发展历史1947年12月23日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。新研究发现,在晶体管电子流出端的衬底外,沉积一层对应材料,能形成一个半导体致冷P-N结构,因为N材料的电子能级低,P材料的电子能级高,当电子流过时,需要从衬底吸入热量,这就为晶体管**散热提供一个很好的途径。因为带走的热量会与电流的大小成正比例,业内也称形象地把这个称为“电子血液”散热技术。根据添加新材料的性位置不同,新的致冷三管分别叫做N-PNP或NPN-P。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了**范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。三管,全称应为半导体三管,也称双型晶体管、晶体三管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的**元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是**区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。三管 (也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,我们常说的三管,可能是 如图所示的几种器件。可以看到,虽然都叫三管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。“Triode”(电子三管)这个是英汉词典里面 “三管” 的英文翻译,与电子三管初次出现有关,是真正意义上的三管这个词初所指的物品。其余的在中文里称作三管的器件,实际翻译时不可以翻译成Triode。电子三管 Triode (俗称电子管的一种)双型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor)J型场效应管 Junction gate FET(Field Effect Transistor)金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )注:这三者看上去都是场效应管,其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单(Unipolar)结构的,是和 双(Bipolar)是对应的,所以也可以统称为单晶体管(Unipolar Junction Transistor)。其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了V型槽,使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了MOS的输入电容,是MOS管的一种大功率改进型产品,但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。电子制作中常用的三管有90×&TImes;系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三管符号的含义。符号的部分“3”表示三管。符号的*二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符号的*三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。晶体三管(以下简称三管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管,(其中,N是负的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压下产生自由电子导电,而P是正的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
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