肖特基二管SB1040FCT

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高**倍。在基片下边形成N+阴层，其作用是减小阴的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳金属接电源正，N型基片接电源负）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基缺陷是由于晶体表面附近的原子热运动到表面，在原来的原子位置留出空位，然后内部邻近的原子再进入这个空位，这样逐步进行而造成的，看来就好像是晶体内部原子跑到晶体表面来了。显然，对于离子晶体，阴阳离子空位总是成对出现；但若是单质，则无这种情况。除了表面外，肖特基缺陷也可在位错或晶界上产生。这种缺陷在晶体内也能运动，也存在着产生和复合的动态平衡。对一定的晶体来说，在确定的温度下，缺陷的浓度也是一定的。空位缺陷的存在可用场离子显微镜直接观察到。肖特基二管具有开关频率高、正向压降低等优点，但肖特基二管的反向击穿电压比较低，一般不会**60V，高仅约为100V，以致于限制了肖特基二管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV之间的高速二管、PFC升压用600V二管等情况下时，只有使用快速恢复外延二管和**快速恢复二管。肖特基二管是由贵金属金、铝、银、铂等A为正，以N型半导体B为负，然后利用二者接触面之间上形成的势垒一种具有整流特性制成的金属半导体器件。肖特基二管由于N型半导体中存在大量电子，而贵金属中仅有少量自由电子，肖特基二管中的电子便从浓度高的B向浓度低A中扩散。肖特基二管金属A中没有空穴，不存在空穴自A向B扩散运动。随着肖特基二管中电子不断从B扩散到A，B的表面电子浓度逐渐降低，表面电中性破坏，于是形成势垒。

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