• 英飞凌IGBT模块 FF75R12RT4 FF150R17KE4  晶闸管可控硅 全新**

    英飞凌IGBT模块 FF75R12RT4 FF150R17KE4 晶闸管可控硅 全新**

  • 2020-12-16 08:59 127
  • 产品价格:170.00
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    产品描述

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      英飞凌600V系列:

      1 IGBT额定电压的选择

      三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流电压的值:

      在开关工作的条件下,fGBT的额定电压一般要求**直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1 电压等级的IGBT。

      2 IGBT额定电流的选择

      以30kW器为例,负载电流约为79A,由于负载电气启动或加速时,电流过载,一般要求1分钟的时间内,承受1.5倍的过流,择负载电流约为 ,建议选择电流等级的IGBT。

      3 IGBT开关参数的选择

      的开关频率一般小于10 kH Z,而在实际工作的过程中,fGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT,以30 kW ,逆变频率小于10kH z的变频器为例,选择IGBT的开关参数见表1。

      4 影响IGBT**性因素

      1)栅电压。

      IGBT工作时,**有正向栅电压,常用的栅驱动电压值为15~187,用到20V, 而棚电压与栅较Rg有很大关系,在设计IGBT驱动电路时, 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值,设计合适驱动参数,**合理正向栅电压。因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系,正向栅电压越高,开通损耗越小,正向压降也咯小。

      在桥式电路和大功率应用情况下,为了避免干扰,在IGBT关断时,栅较加负电压,一般在-5- 15V,**IGBT的关断,避免Miller效应影响。

      2)Miller效应。

      为了降低Miller效应的影响,在IGBT栅驱动电路中采用改进措施:(1)开通和关断采用不同栅电阻Rg,on和Rg,off,确保IGBT的有效开通和关断;(2)栅源间加c,对Miller效应产生的电压进行能量泄放;(3)关断时加负栅压。在实际设计中,采用三者合理组合,对改进Mille r效应的效果较佳。

      5 结束语

      (1)IGBT是逆变器主要使用的主要功率开关器件,也是逆变器中主要工作器件,合理选择IGBT是**IGBT**工作的前提,同时,要根据三相逆变电路结构的特点,选择低通态型IGBT为佳。


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