宁波铁锰酸铋靶材报价

锰氧化物异质结在自旋电子学领域具有广阔的应用前景,例如,可应用在磁传感器和磁存储等器件中

测试电压为5 V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2。通过对电流密度的拟合发现:欧姆传导为外延ITO/BFMO/SRO电容器的主要漏电机制,并且光照没有改变电容器的导电机制。

BiMnO_3(BMO)是一种室温铁电、低温铁磁性材料,它具有较小的光学带隙(1.0~1.2 eV),但是BMO是亚稳相,不易制备较厚的薄膜,限制了它在光伏领域的应用。本论文工作以Bi_2FeMnO_6(BFMO)双钙钛矿外延薄膜为研究对象,主要研究了BFMO薄膜的生长、电学性质和光伏电池的性能。

锰氧化物/铁酸铋(La0.7Sr0.3MnO3/BiFeO3(LSMO/BFO),LaMnO3/BiFeO3(LMO/BFO))异质结中的交换偏置效应的起源。发现了一种新的物理现象,即LMO/BFO界面可以诱发自旋团簇玻璃态的转变,并深入探讨了发生这种现象的原因。还发现应变效应在LMO薄膜中自旋团簇玻璃态形成的过程中发挥着重要的作用。

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