长沙单晶硅靶材费用 高纯度

由于**硅*特的结构，兼备了无机材料与**材料的性能，具有表面张力低、粘温系数小、压缩性高、气体渗透性高等基本性质，并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性，广泛应用于航空航天、电子电气、建筑、运输、化工、纺织、食品、轻工、医疗等行业，其中**硅主要应用于密封、粘合、润滑、涂层、表面活性、脱模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等。随着**硅数量和品种的持续增长，应用领域不断拓宽，形成化工新材料界*树一帜的重要产品体系，许多品种是其他化学品无法替代而又**的

金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。将陶瓷和金属混合烧结，制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷的各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。可应用于军事武器的制造。架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时摩擦产生的高温，全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。//////

化学性质
硅有明显的非金属特性，可以溶于碱金属氢氧化物溶液中，产生（偏）硅酸盐和氢气。
硅原子位于元素周期表*IV主族，它的原子序数为Z=14，核外有14个电子。电子在原子核外，按能级由低硅原子到高，由里到外，层层环绕，这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子层有2个电子，*二层有8个电子，达到稳定态。外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。
正因为硅原子有如此结构，所以有其一些特殊的性质：外层的4个价电子让硅原子处于亚稳定结构，这些价电子使硅原子相互之间以共价键结合，由于共价键比较结实，硅具有较高的熔点和密度；化学性质比较稳定，常温下很难与其他物质（除氟化氢和碱液以外）发生反应；硅晶体中没有明显的自由电子，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。
加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用，也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中，可溶于碱溶液中，并有氢气放出，形成相应的碱金属硅酸盐溶液，于赤热温度下，与水蒸气能发生作用。 [8] 
分类：纯净物、单质、非金属单质。

原子核外电子排布：1s²2s²2p? 3s²3p²；
晶胞类型：立方金刚石型； [9] 
晶胞参数：20℃下测得其晶胞参数a=0.543087nm；
颜色和外表： 深灰色、带蓝色调；
采用纳米压入法测得单晶硅（100）的E为140～150GPa；
电导率：硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到，而温度**过1600℃后又随温度的升高而减小。
电负性
1.90（鲍林标度） [8] 
热导率
148 W/（m·K） [8] 
电离能
786.5 kJ/mol [8] 
*二电离能
1577.1 kJ/mol [8] 
*三电离能
3231.6 kJ/mol [8] 
*四电离能
4355.5 kJ/mol [8] 
*五电离能
16091 kJ/mol [8] 
*六电离能
19805 kJ/mol [8] 
*七电离能
23780 kJ/mol [8] 
*八电离能
29287 kJ/mol [8] 
*九电离能
33878 kJ/mol [8] 
*十电离能
38726 kJ/mol [8] 
同位素：
符号
Z（p）
N（n）
质量（u）
半衰期
原子核自旋
相对丰度
相对丰度的变化量
22Si
14
8
22.03453（22）#
29（2）ms
0+
23Si
14
9
23.02552（21）#
42.3（4）ms
3/2+#
24Si
14
10
24.011546（21）
140（8）ms
0+
25Si
14
11
25.004106（11）
220（3）ms
5/2+
26Si
14
12
25.992330（3）
2.234（13）s
0+
27Si
14
13
26.98670491（16）
4.16（2）s
5/2+
28Si
14
14
27.9769265325（19）
稳定
0+
0.92223（19）
0.92205-0.92241
29Si
14
15
28.976494700（22）
稳定
1/2+
0.04685（8）
0.04678-0.04692
30Si
14
16
29.97377017（3）
稳定
0+
0.03092（11）
0.03082-0.03102
31Si
14
17
30.97536323（4）
157.3（3）min
3/2+
32Si
14
18
31.97414808（5）
170（13）a
0+
33Si
14
19
32.978000（17）
6.18（18）s
（3/2+）
34Si
14
20
33.978576（15）
2.77（20） s
0+
35Si
14
21
34.98458（4）
780（120） ms
7/2-#
36Si
14
22
35.98660（13）
0.45（6）s
0+
37Si
14
23
36.99294（18）
90（60）ms
（7/2-）#
38Si
14
24
37.99563（15）
90# ms [>1 &micro；s]
0+
39Si
14
25
39.00207（36）
47.5（20） ms
7/2-#
40Si
14
26
40.00587（60）
33.0（10） ms
0+
41Si
14
27
41.01456（198）
20.0（25） ms
7/2-#
42Si
14
28
42.01979（54）#
13（4） ms
0+
43Si
14
29
43.02866（75）#
15# ms [>260 ns]
3/2-#
44Si
14
30
44.03526（86）#
10# ms
0+
备注：1.画上#号的数据代表没有经过实验的证明，只是理论推测而已，而用括号括起来的代表数据不确定性。
2.有三种**的稳定同位素Si（92.2%）、Si（4.7%）和Si（3.1%），还有质量数为25、26、27、31和32的人工放射性同位素。 [2] 
3.硅（原子质量单位： 28.0855，共有23种同位素，其中有3种同位素是稳定的。

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