由于氮化铝压电效应的特性,氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。而探测器则会放置於矽晶圆上。只有非常少的地方能可靠地制造这些细的薄膜
氮化铝于1877年合成。至1980年代,因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(聚晶体物料为 70-210 W?m?1?K?1,而单晶体较可高达 275 W?m?1?K?1 ),使氮化铝有较高的传热能力,至使氮化铝被大量应用于微电子学。
氮化铝也可以作热电偶保护套,在空气中800一一1000℃铝池中连续浸泡3000hI,J,I--Lk__,没有侵蚀破坏。
AlN可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望
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