上海箱式管式炉

管式炉是一种实验室设备,适用于金属，纳米，单晶硅,多晶硅,电池等的扩散焊接以及真空下的气体保护下，在真空或气氛状态下烧结各种新材料样品。采用****技术，开发研制的节能环保电炉，管式炉有单管、双管、卧式、可开启式管式实验电炉。如要通各种气体也可以也可配备气体控制柜。
管式炉适用于工矿企业、大专院校，科研院所及实验室作真空或气氛状态下烧结各种新材料样品用。
1200度200管径管式炉(标准/双温区/三温区)
窗体底端
设备名称 200管径管式炉（开启式）
型 号 TF1200-200 TF1200-200II TF1200-200III
基本参数 电源电压 AC 220V,50/60Hz AC 220V,50/60Hz AC 380V,50/60Hz
外形尺寸（宽*深*高）
设备重量 115Kg 135Kg 160Kg
加热系统 加热功率 6Kw 8Kw 12Kw
加 热 区 440mm 600mm（300+300） 900mm（300+300+300）
恒 温 区 150mm（±3℃） 300mm（±3℃） 600mm（±3℃）
加热区数 单温区 双温区 三温区
极限温度 1200℃ 1200℃ 1200℃
使用温度 ＜1100℃（大气或惰性气氛下），≤900℃（高真空条件下）
升温速率 ≤30℃/min（上限）
300℃以内：≤3-8℃/min，300℃以上：≤8-12℃/min（建议）
降温速率 700℃以上≤10℃/min
测温传感器 N型
电 热 丝 HRE合金丝
表面负荷高、电阻率高、抗氧化性能好、经久耐用
炉 膛 中日合资 1500型氧化铝多晶纤维一体成型
收缩率小，导热系数低，保温效果好，耐用节能

管式炉的调节方式
调节方式为PID调节方式，输入方式为热电偶输入，输出为单相调压（三相调压）触发。在使用马弗炉之前需要设定程序，在使用马弗炉的过程中PX表示当前炉内温度，SV表示设定程序中当前温度。
我司对退火炉进行升级改造。此次升级时，炉衬侧壁依旧保留加热元件保护槽，所有锐角倒钝，增加了辐射面积。也使保护槽立柱抗震能力加强。炉衬**部拼接方向由纵改横，连接台阶，使得**部保温较好。对退火炉进行升级改造为适应客户需求马弗炉的程序控温之前有客户询问SV既然是设定值为何我设定1500℃但是SV显示的并不是这个数值。本司使用的程序控温仪表SV数值由程序控制调节输出功率，实现客户需要的多段程序控温的目的。直至程序设定温度到达时SV显示终温度该。

PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统
窗体底端
PECVD系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度较低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

一、管式炉用途：本系列电阻炉系周期作业式电炉。供实验室、工矿企业、科研单位等在无氧条件下做加热之用。本电炉还可以做为真空处理之用。
二、结构：本电炉外壳为圆柱或方体。炉壳用溥钢板焊制而成。工作室为一由耐火材料烧制成的整体炉膛，炉膛内有穿丝槽，加热元件放于穿丝槽内，炉膛与炉壳之间用保温材料或纤维填充。1300度采用硅碳棒加热，1600度采用硅钼棒加热。
管式电炉产品描述
1.1本款管式炉以硅碳棒、硅钼棒或者电阻丝为加热元件，温度一般在1200度以上采用刚玉管。（注：1200度以下也可使用）
1.2采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，
1.3炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
1.4采用技术，有单管、双管、卧式、可开启式、立式、单温区、双温区、三温区等多种管式炉型。
1.5具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可选配气氛、抽真空炉型等。

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