北京铁锰酸铋靶材定制

测试电压为5 V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2。通过对电流密度的拟合发现:欧姆传导为外延ITO/BFMO/SRO电容器的主要漏电机制,并且光照没有改变电容器的导电机制。

用磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备掺钕铁 酸铋多铁性薄膜(Bi0.875Nd0.125)FeO3 (BNF) 和铁电薄膜(Ba0.65Sr0.35)TiO3 (BST),形成单层BNF/Pt/Ti/SiO2/Si(100) 薄膜、双层BNF/BST/Pt/Ti/SiO2/Si(100)薄膜结构,或形成三明治结构BST/BNF/BST/Pt/Ti/SiO2 /Si(100)薄膜

一种铁酸铋-铁酸锰复合多铁性陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将铁酸铋粉末进行粉磨；（2）采用溶胶凝胶工艺，将二氧化锆胶体涂覆在铁酸铋粉末表面，得到包覆有二氧化锆涂层的铁酸铋粉末；（3）将铁酸锰粉末粉磨并与步骤（2）中得到的铁酸铋粉末按照化学计量比为（1-x）BiFeO3-xMnFe2O4进行混合，其中：0＆lt;x＆lt;0.4，x为摩尔分数，得到混合后的配料；（4）配料加入无水乙醇后粉磨；（5）将粉磨后的粉末烘干后，放入坩埚中，在空气氛围下预烧；（6）将预烧后的粉末在稀硝酸中溶解，并烘干后粉磨，再在模具中压制成圆片，将圆片置于坩埚中，在空气氛围下烧结得到该陶瓷样品。

结果显示在氮气或真空中退火的BNF 薄膜具有优异的电性能,缓冲层BST 增益BNF 薄膜的多铁性,BST缓冲层能很好的降低BNF 薄膜的漏电流,BNF/BST 异质结薄膜的漏电流密度为7×10-8A/cm2比通过掺杂改性的铁酸铋的漏电流密度低近4 个数量级,这是因为一方面BST 能阻止BNF 中的自由电荷在BNF 薄膜与下电极之间的自由移动,另一方面,BST 促进了BNF 薄膜的结晶,使BNF 中中的自由载流子数量降低.BST/BNF/BST 三明治结构的多层薄膜的漏电流密度为10-8A/cm2 比BNF/BST 还低近一个数量级

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