应用反应射频磁控技术,在氧化铝陶瓷样片上制备了方阻稳定性好的Ta N薄膜,研究了氮分压(N2/(N2+Ar))、沉积温度、沉积时间对Ta N膜层结构和电性能的影响,通过X射线衍射、四探针方阻仪器测试了薄膜的微结构和方阻值用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性氮化钽靶材合成1、将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得;2、以金属钽和氮气为原料制备氮化钽,反应式如下:2Ta+N2=2TaN。在石英玻璃上通过改变基底温度生长了系列面心立方结构的δ-TaNx多晶薄膜,X射线衍射及扫描电镜形貌结果显示,薄膜的平均晶粒尺寸随基底温度的升高逐渐增大。电输运测量结果表明,δ-TaNx薄膜在~5 K以下表现出类似**导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10-30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿(FIT)导电机制主导着电阻率的温度行为。因此,多晶δ-TaNx薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数
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