烟台CGH40006P微波射频

Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显着地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的**。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域*特的材料专业知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理较大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热较低。 Cree将能源回归解决方案(ROE?)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将较亮、较可调节的发光二极管用于一般照明、获得较鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及较为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二极管芯片、照明用发光二极管、背光发光二极管、电源开关器件、以及广播/无线设备
近日，科锐（CREE）宣布与安森美半导体（ON Semiconductor）签署多年期协议，将为安森美半导体生产和供应Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。
安森美半导体是**半导体企业，服务横跨多重电子应用领域。科锐将向安森美半导体供应**8500万美元（折合币约6亿元）的**150mm碳化硅（SiC）裸片和外延片，用于EV电动汽车和工业应用等高速增长的市场。
安森美半导体副总裁兼**采购官Jeffrey Wincel表示：“安森美半导体持续**高能效创新和器件的发展。与科锐的合作非常重要，这将帮助我们保持世界的供应库。该协议将支持我们对于汽车和工业应用领域增长的承诺，确保业界的碳化硅（SiC）的供应，从而帮助工程师们解决其所面临的*特设计挑战。”
科锐**执行官Gregg Lowe表示：“科锐致力于****半导体市场从硅（Si）基方案向碳化硅（SiC）基方案的转变。我们非常高兴能够支持安森美半导体，因为我们共同努力加速半导体市场向碳化硅（SiC）的转变。这是在过去一年半时间内，我们所宣布的*四份碳化硅（SiC）材料重要长期协议。我们将通过持续的晶圆片供应协议（例如此份协议）和我们近期宣布的重大产能增长，继续推动碳化硅（SiC）的采用和供应。
Wolfspeed是科锐旗下公司，是生产碳化硅（SiC）产品和外延片的**企业。

面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率追赶大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州波士顿——（2019年**微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的高效率，以2.45 GHz追赶大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来**控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在完全额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少更换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，*更多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门较偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。
恩智浦无线电功率解决方案*副总裁兼总经理Paul Hart表示：“固态的智能控制、低维护性和易用性打开了更多新应用机会，如智能烹饪和工业4.0加热设备。通过打破真空管的效率障碍，我们帮助客户释放创新力，同时不影响性能。”
供货信息
恩智浦的MRF24G300HS射频晶体管现在提供样品，计划于2019年*三季度投入生产。2400-2500 MHz参考电路现已上市，订单号为MRF24G300HS-2450MHZ。作为恩智浦合作伙伴计划的一，Prescient Wireless, Inc.设计出了两路共550W功率放大器模块，其增益为45 dB，该设备在IMS上展示。

CREE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz雷达放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用**技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料**级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料**级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将较大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。
Cree**执行官Gregg Lowe先生表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是，现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天，我们宣布了公司迄今在生产制造的大投资，将大幅地提升供应，帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入，将为我们显着扩大产能。与2017财年季度（也就是我们开始扩大产能的阶段）相比较，能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至较长远的预期增长。”
这项计划将为业界的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施，作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂，迈出满足预期市场需求的步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂，其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍，刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料**级工厂。
Cree**执行官Gregg Lowe先生同时还表示：“这些SiC碳化硅制造**级工厂，将加速当今快增长市场的创新。通过提供解决方案，帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间，同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来大的资本投资，也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具，我们相信我们可以实现提供**技术的200mm fab，并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”
扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供**制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、**就业和成长机遇提供人才储备。