现货肖特基SB10200FCT

肖特基二管封装：
肖特基二管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二管通常作为高频大电流整流二管、续流二管或保护二管使用。它有式和对管（双二管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负相连）、共阳（两管的正相连）和串联（一只二管的正接另一只二管的负）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二管有型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式

如何选用肖特基二管
开关电源当中我们经常会用到肖特基二管，但是由于不同厂商等原因性能上就相差很大，我们选择肖特基时必须要考虑以下几点参数：
1.导通压降VF：VF为二管正向导通时二管两端的压降，选择肖特基二管是尽量选择VF较小的二管。
2.反向饱和漏电流IR：IR指在二管两端加入反向电压时，流过二管的电流，肖特基二管反向漏电流较大，选择肖特基二管是尽量选择IR较小的二管。
3.额定电流IF：指二管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
4.大浪涌电流IFSM：允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5.大反向峰值电压VRM：即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的大值是规定的重要因子。大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的大反向电压。
6.大直流反向电压VR：上述大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7.高工作频率fM：由于PN结的结电容存在，当工作频率**过某一值时，它的单向导电性将变差。肖特基二管的fM值较高，大可达100GHz。
8.反向恢复时间Trr：当工作电压从正向电压变成反向电压时，二管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。

肖特基二管又被称为肖特基势垒二管（简称 SBD），是一种低功耗、**高速半导体器件。肖特基二管显着的特点是反向恢复时间短，正向导通压降仅为0.4V左右。肖特基二管多用作高频、大电流整流二管、低压、续流二管、保护二管、小信号检波二管、微波通信等电路中作整流二管等处使用。肖特基二管在通信电源、变频器等中比较常见。肖特基二管在双型晶体管的开关电路里面，通过在连接二管来箝位。

肖特基二管作用：
肖特基二管肖特基（Schottky）二管，又称肖特基势垒二管（简称 SBD），它属一种低功耗、**高速半导体器件。显着的特点为反向恢复时间短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二管、续流二管、保护二管，也有用在微波通信等电路中作整流二管、小信号检波二管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二管的大特点是正向压降 V* 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
肖特基二管检查：
肖特基（Schottky）二管也称肖特基势垒二管（简称SBD），它是一种低功耗、**高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二管、续流二管、保护二管使用，或在微波通信等电路中作整流二管、小信号检波二管使用。
性能比较
下表列出了肖特基二管和**快恢复二管、快恢复二管、硅高频整流二管、硅高速开关二管的性能比较。由表可见，硅高速开关二管的trr虽低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。
检测方法
下面通过一个实例来介绍检测肖特基二管的方法。检测内容包括：①识别电；②检查管子的单向导电性；③测正向导压降V；④测量反向击穿电压VBR。
被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面（字面朝向人）从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量，全部数据整理成下表：
肖特基二管测试结论：
，根据①—②、③—④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳，②脚为公共阴。
*二，因①—②、③—②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。
*三，内部两只肖特基二管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均**手册中给定的大允许值VM(0.55V)。
另外使用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的高反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。表明留有较高的安全系数.

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