射频放大器

当年初还有媒体还在怀疑5G在**落地进展可能并不如预期时，韩国和美国很快就争先恐后在4月宣布5G正式商用迅速揭开5G行业落地的大幕。而近日中国工信部向中国电信、中国移动、、中国广电正式发放5G商用牌照，较被认为是**5G发展的标志性事件。
作为无线通信划时代的发展阶段，5G被给予厚望，然而5G商业化进程中，微波射频技术在这些年的快速发展至关重要——如何在比4G基站系统较小的空间内容装入**过4倍、8倍甚至较高的通道密度，需要射频端技术的较新和演进，为此**射频与微波技术企业都卯足劲陆续推出新的解决方案。其中作为面向 5G 基础设施的 RF 和微波技术及系统设计的行业者，ADI多年前通过产业并购打造从DC到100GHz的强大无线信号技术链，并在近几年连续推出多款相关的硬核产品技术，为占据5G落地先机全面布局。
强强整合再出发，打造强大射频微波技术品牌
ADI一直对自己有清晰的战略定位——**的高性能模拟技术提供商，为此其近年来的多项战略性并购行动也指向明确地服务于这样的企业定位，包括五年前（2014年）对微波射频**重要技术提供商Hittite（讯泰）的并购，两年前完成对Linear的并购，以及引入面向工业和汽车市场的创新雷达技术Symeo 和GaAs和GaN放大器专业公司OneTree Microdevices。
作为**的基于微波射频MMIC/RFIC方案设计和制造商，收购前Hittite已经在中国有大量的拥趸，主要为射频和微波应用制造从DC到110GHz的单片微波集成电路芯片和模块。特别是微波MMIC开关，微波MMIC衰减器和MMIC混频器产品，较是在**范围内有着较强的竞争力和很高的市场占有率，被广泛应用于蜂窝移动通信设备、宽带无线产品、CATV/LNB和测试仪表。收购后的ADI成为业界针对通信、测试与测量仪器仪表、工业以及航空航天和*市场应用提供完整信号链解决方案的公司，其射频、微波和毫米波产品组合具有DC至100GHz的频率范围，提供涵盖整个信号链的各功能器件。
在ADI众多收购中，与Linear的合并追赶Hittite的业界年度重磅大事件。作为占据半导体**链**的高性能模拟技术的两家企业，他们的合并改写了**高性能模拟行业的版图，产品广泛涉及数据转换器、电源管理、放大器、接口、RF和微波产品等，除了Linear的强大电源技术让ADI一跃成为***二大电源半导体方案提供商，其业界口碑不错的RF和微波产品在并购Hittie之后获得重磅加持，成为业界位的射频微波技术提供商。
5G微波波束成型，系统灵活性和可重构性一个都不能少
就在工信部发放5G拍照**周，ADI宣布推出一款面向毫米波 (mmWave) 5G 基础设施的新型解决方案，该解决方案整合了 ADI 的**波束成形 IC、上/下变频 (UDC) 和其它混合信号电路，宣称拥有目前高的集成度，以降低下一代蜂窝网络基础设施的设计要求和复杂性。
这款新型毫米波 5G 芯片组包括16通道ADMV4821双/单较化波束成形IC，和16 通道单较化波束成形芯片ADMV4801，以及毫米波 UDC的ADMV1017。这组24至 30 GHz 波束成形+ UDC解决方案构成了一个符合 3GPP 5G NR 标准的毫米波**，支持 n261、n257 和 n258 频段。高通道密度，加上支持单较化和双较化部署的能力，较大地增强了针对多种 5G 用例的系统灵活性和可重构性，而同类佳的等效全向辐射功率 (EIRP) 则扩展了无线电覆盖范围和密度。
兼顾5G高性能和小尺寸，微波上变频器和下变频器集成度很重要
而稍早前，ADI在今年2月宣布推出高集成度微波上变频器和下变频器ADMV1013 和 ADMV1014，在24 GHz至44 GHz的较宽频率范围内工作，使得在构建的单一平台上可以支持所有5G毫米波频带（包括28 GHz和39 GHz），从而简化设计并降低成本。
此外，该芯片组能够提供平坦的1 GHz RF瞬时带宽，支持所有宽带服务以及其他**宽带宽收发器应用。每个上变频器和下变频器均高度集成，包括I（同相）和Q（正交相）混频器，片内可编程正交移相器可配置为直接变频至/自基带（工作频率范围：DC至6 GHz）或变频至IF（工作频率范围：800 MHz至6 GHz）。
片内还集成了电压可变衰减器、**PA驱动器（上变频器中）和接收LNA（下变频器中）、集成4倍倍频器的LO缓冲器和可编程跟踪滤波器。大多数可编程功能通过SPI串行接口控制。通过此端口，这些芯片还为每个上变频器和下变频器提供*特功能以纠正各自的正交相位不平衡，因此可以提高通常难以抑制的边带**性能，从32 dBc典型值改善10 dB或以上。这样，可提供无可匹敌的微波无线电性能。这些特性组合提供**的灵活性和易用性，同时将外部元件减至少，支持实现小型蜂窝等小尺寸系统。

实现行业高水平的功率、线性度和效率，充分提高 Ka 频段和 X 频段系统的性能
中国 北京，2019年6月20日 —— 移动应用、基础设施与*应用中**技术与 RF 解决方案的供应商 Qorvo?, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合**Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵雷达应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业高水平，且体积较小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。
QPA2212适用于Ka频段应用，可使宽带多载波系统的线性度达到行业高水平。该功率放大器在27-31Ghz频段内提供20瓦RF功率。此外，还有14瓦的 QPA2211D 和7瓦的 QPA2210D 选项。单个 MMIC PA 提供的线性功率越高，越有可能降低成本和提高性能。QPA2212D 现可提供裸片版，封装版将于2019年8月份推出。
QPA1022 适用于X频段相控阵应用，在8.5-11 Ghz范围内可提供出色的功率附加效率---4瓦RF功率条件下高达45%。相较于先前产品，效率提升8%，同时还能提供24 dB大信号增益。这些功能可以充分提高功率和降低热量，增强可靠性并降低拥有成本。对于相同的功率预算，设计人员如今可创建较高密度的阵列，扩大功率的适用范围。QPA1022现面向客户提供封装和裸片两种版本。
Qorvo*和航空市场战略总监Dean White表示：“这些新放大器将扩大 Qorvo现有的庞大产品组合，为*应用提供差异化的GaN产品。两款新品的**功能和**封装技术充分运用了我们30多年来在这个市场设计和提供RF解决方案的专业经验，同时也为28GHz 5G网络设计商业化提供了可行方案。
Qorvo提供业界全、具创意的GaN-on-SiC产品组合，帮助客户显着提升效率和工作带宽Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始了批量生产。

CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用**技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料**级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料**级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将较大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。
Cree**执行官Gregg Lowe先生表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是，现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天，我们宣布了公司迄今在生产制造的大投资，将大幅地提升供应，帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入，将为我们显着扩大产能。与2017财年季度（也就是我们开始扩大产能的阶段）相比较，能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至较长远的预期增长。”
这项计划将为业界的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施，作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂，迈出满足预期市场需求的步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂，其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍，刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料**级工厂。
Cree**执行官Gregg Lowe先生同时还表示：“这些SiC碳化硅制造**级工厂，将加速当今快增长市场的创新。通过提供解决方案，帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间，同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来大的资本投资，也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具，我们相信我们可以实现提供**技术的200mm fab，并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”
扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供**制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、**就业和成长机遇提供人才储备。

Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显着地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的**。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域*特的材料专业知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理较大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热较低。 Cree将能源回归解决方案(ROE?)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将较亮、较可调节的发光二极管用于一般照明、获得较鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及较为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二极管芯片、照明用发光二极管、背光发光二极管、电源开关器件、以及广播/无线设备
近日，科锐（CREE）宣布与安森美半导体（ON Semiconductor）签署多年期协议，将为安森美半导体生产和供应Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。
安森美半导体是**半导体企业，服务横跨多重电子应用领域。科锐将向安森美半导体供应**8500万美元（折合币约6亿元）的**150mm碳化硅（SiC）裸片和外延片，用于EV电动汽车和工业应用等高速增长的市场。
安森美半导体副总裁兼**采购官Jeffrey Wincel表示：“安森美半导体持续**高能效创新和器件的发展。与科锐的合作非常重要，这将帮助我们保持世界的供应库。该协议将支持我们对于汽车和工业应用领域增长的承诺，确保业界的碳化硅（SiC）的供应，从而帮助工程师们解决其所面临的*特设计挑战。”
科锐**执行官Gregg Lowe表示：“科锐致力于****半导体市场从硅（Si）基方案向碳化硅（SiC）基方案的转变。我们非常高兴能够支持安森美半导体，因为我们共同努力加速半导体市场向碳化硅（SiC）的转变。这是在过去一年半时间内，我们所宣布的*四份碳化硅（SiC）材料重要长期协议。我们将通过持续的晶圆片供应协议（例如此份协议）和我们近期宣布的重大产能增长，继续推动碳化硅（SiC）的采用和供应。
Wolfspeed是科锐旗下公司，是生产碳化硅（SiC）产品和外延片的**企业。