什么是薄膜电阻?
采用薄膜技术制备的电阻。用诸如真空蒸发、磁控溅射等工艺方法,将具有一定电阻率的材料沉积在绝缘基体上,形成具有一定厚度的导电膜层,如碳膜、金属膜(NiCr、TaN2、SiCr等)、金属氧化膜等。
膜式电阻,为关键的工艺,是电阻膜层制备。
平常所说的薄膜电阻,指的是片式薄膜电阻器(Thin Film Resistor)。
电阻膜层厚度<1μm的膜称为薄膜;厚度>10μm的膜称为厚膜。
薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件,即晶体管,有两种材料结构形式:一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管,另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺,即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式,就可以组装成一块完整的集成电路。
电材料分类
目前,制作电阻薄膜的材料有许多,包括**属、金属合金、金属化合物或金属陶瓷(陶瓷和金属的组合)等,但单片模拟集成电路和薄膜混合电路中广泛使用的材料有三种:镍铬、铬硅和铬硅氧化物金属陶瓷,其中镍铬属于低阻类材料,而铬硅和铬氧化硅属于高阻类材料。按照组成材料的不同,常用薄膜类电阻材料分为三种,镍铬、铬硅和铬一氧化硅
薄膜电阻这一概念的使用,与电阻或者电阻率相对,是它直接用四终端感应测量法(也称为四点探针测量法)来测量。薄膜电阻用欧姆/平方来计量,可被应用于将薄膜考虑为一个二维实体的二维系统。它与三维系统下所用的电阻率的概念对等。当使用到薄膜电阻一词的时候,电流必须沿着薄膜平面流动,而非与其垂直。
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