厚膜电阻主要是指采用厚膜工艺印刷而成的电阻。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同,因此在整个电阻范围内是可变的。此外,改变薄膜厚度还会严重影响 TCR。TCR是一个不容忽视的微小参数,它的单位是ppm/℃。1%的普通电阻的TCR系数在几千ppm/°C范围内,整体阻值的变化与电阻的材料、实际功率以及物理尺寸有关系。
相关电阻器:
碳膜电阻器
将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低。性能稳定。阻值范围宽。温度系数和电压系数低,是目前应用广泛的电阻器。
金属膜电阻器
用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高,稳定性好,噪声,温度系数校在仪器仪表及通讯设备中大量采用。
金属氧化膜
在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高温下稳定,耐热冲击,负载能力强。
合成膜电阻
将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得,因此也叫漆膜电阻。由于其导电层呈现颗粒状结构,所以其噪声大,精度低,主要用他制造高压,高阻,小型电阻器
薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件,即晶体管,有两种材料结构形式:一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管,另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺,即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式,就可以组装成一块完整的集成电路。
薄膜电阻的应用:
薄膜电阻的应用广泛,对于任意面积远大于厚度的情形,比如薄膜物理或者半导体产业中,常有纳米级厚度的薄膜被沉积到晶片上,如果关心这些薄膜的电阻阻值大小时,就需使用薄膜电阻这一概念。例如,在发光二极管的制造中,二极管PN结上作为电极而沉积的金属的阻值很大程度影响了发光二极管的发光效率,因此需要小化金属半导体的79483MD,利用**提到的四探针测量法以及传输线模型(TransmissiON Line Model)测量法,即可确定79483MD的大小和金属下方半导体层的薄膜电阻阻值。
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