陕西高精密低温漂薄膜电阻公司

热处理：
电阻薄膜的热处理的目的是在薄膜中形成一定数量的绝缘相从而改善薄膜的温度性能，提高薄膜的长期稳定性。电阻薄膜的制造往往是高温短时过程，因此大量的非平衡缺陷和一些介稳态结构被保留下来，致使薄膜在长期工作过程中，由于这些缺陷的逐渐消失和介稳态的逐渐转变，薄膜的性能逐渐发生变化。通过热处理，可以使沉积过程中产生的一些位错自行移动到表面消失，晶界缺陷数量下降，这样，薄膜的结构得到很大的改善，薄膜由亚稳态转变为稳定状态，薄膜性能趋向稳定。另外，由于薄膜和基片常常是两种截然不同的材料，因此在其界面处不可避免地要发生相互扩散和化学反应，从而引起电阻薄膜性能的逐渐变化。类似地，在薄膜表面，也由于扩散和反应，使薄膜性能随着时间发生变化。
从上述看出，未经热处理的电阻薄膜，其性能是不够稳定的，所以必须选择合适的热处理工艺条件，如温度、时间和气氛。一般来说，要选用高温，因为只有在高温下，才能在有限的热处理时间内，完成薄膜中的多个过程。同时要在薄膜表面形成密实的保护层，除了选用合适的热处理温度和时间以外，还要选用必要的热处氛。例如，用氧化性或者氮化性气氛。这样形成的绝缘相可以达到较其细微的分散结构，如分子线度的微细分散，从而使得薄膜的稳定性和温度性能达到。

薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管，有两种材料结构形式：一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以组装成一块完整的集成电路。

什么是薄膜电阻？
采用薄膜技术制备的电阻。用诸如真空蒸发、磁控溅射等工艺方法，将具有一定电阻率的材料沉积在绝缘基体上，形成具有一定厚度的导电膜层，如碳膜、金属膜（NiCr、TaN2、SiCr等）、金属氧化膜等。
膜式电阻，为关键的工艺，是电阻膜层制备。
平常所说的薄膜电阻，指的是片式薄膜电阻器（Thin Film Resistor）。
电阻膜层厚度＜1μm的膜称为薄膜；厚度＞10μm的膜称为厚膜。

电材料分类
目前，制作电阻薄膜的材料有许多，包括**属、金属合金、金属化合物或金属陶瓷(陶瓷和金属的组合)等，但单片模拟集成电路和薄膜混合电路中广泛使用的材料有三种:镍铬、铬硅和铬硅氧化物金属陶瓷，其中镍铬属于低阻类材料，而铬硅和铬氧化硅属于高阻类材料。按照组成材料的不同，常用薄膜类电阻材料分为三种，镍铬、铬硅和铬一氧化硅

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