浙江西门子主板电路板无输出维修

在变频器维修中我们经常会听到过压故障，但欠压故障也是变频器使用中常碰到的问题。其产生原因是主回路电压**下限引起的保护动作或整流桥某一路损坏或电网瞬时停电、输入缺相等。

1.比较器检测

通过稳压管固定比较器一端的电压，被检测的电压取样后再与之比较，结果通过比较器输出。

2.ADC检测(模拟/数字转换器)

被检测的电压通过电阻降压取样后，落在ADC可检测的范围，可以通过程序设定电压的范围。

主电路中的储能电容，对运行中变频器过压、欠压影响很大。而变频器电路的各种零部件又有一定使用寿命的，所以一旦变频器零部件达到使用寿命就会带来故障的发生。像主电路中的储能电容或其它零部件的原因都有可能对主电路造成影响，从而使整个变频器发生故障。通常变频器停用时间过长，达到一年以上，则应对储能电容要做一次全面体检。

对长时间不用的变频器，如何来避免这种现象发生呢?

按照要求，停用的变频器应每隔两三个月通电-次，每次20~30分钟。对于长时问不用的电解屯容器，通电时，先加约50%的额定电压，只要加压时间在半小时以上，它的漏电流就会降下去，也就可以正常使用了。

此外，对使用年限较长(五年以上)的变频器，也一定要对储能电容器进行容量检测。运行中频繁跳欠电压故障，多数为直流电路的电容器容量不足、有容量下降或失容现象。

上海仰光电子科技有限公司专业维修各类工业、**、、化工、纺织、船舶、印刷；机器人、机械手等领域设备（伺服电机、伺服驱动器、变频器、触摸屏、开关电源、plc等）电路板的芯片级维修公司。和多家**生产企业建立了合作关系，主要服务于太阳能光伏、PVD镀膜、半导体薄膜、离子注入、刻蚀、平板显示、光盘、光电子LED等制造工艺以及、科研院校、技术研究所等设备的半导体电源、RF射频电源、RF匹配器、微波电源、高压电源、直流电源等维修维保。

故障判断
1、整流模块损坏

通常是由于电网电压或内部短路引起。在排除内部短路情况下，更换整流桥。在现场处理故障时，应重点检查用户电网情况，如电网电压，有无电焊机等对电网有污染的设备等。

2、逆变模块损坏

通常是由于电机或电缆损坏及驱动电路故障引起。在修复驱动电路之后，测驱动波形良好状态下，更换模块。在现场服务中更换驱动板之后，须注意检查马达及连接电缆。在确定无任何故障下，才能运行变频器。

3、上电无显示

通常是由于开关电源损坏或软充电电路损坏使直流电路无直流电引起，如启动电阻损坏，操作面板损坏同样会产生这种状况。

4、显示过电压或欠电压

通常由于输入缺相，电路老化及电路板受潮引起。解决方法是找出其电压检测电路及检测点，更换损坏的器件。

5、显示过电流或接地短路

通常是由于电流检测电路损坏。如霍尔元件、运放电路等。

6、电源与驱动板启动显示过电流

通常是由于驱动电路或逆变模块损坏引起。

7、空载输出电压正常，带载后显示过载或过电流

通常是由于参数设置不当或驱动电路老化，模块损坏引起。

上海仰光电子科技有限公司专业维修各类工业、**、、化工、纺织、船舶、印刷；机器人、机械手等领域设备（伺服电机、伺服驱动器、变频器、触摸屏、开关电源、plc等）电路板的芯片级维修公司。和多家**生产企业建立了合作关系，主要服务于太阳能光伏、PVD镀膜、半导体薄膜、离子注入、刻蚀、平板显示、光盘、光电子LED等制造工艺以及、科研院校、技术研究所等设备的半导体电源、RF射频电源、RF匹配器、微波电源、高压电源、直流电源等

变频器故障监测划分

1、状态故障监测:直流过/久压、直流过流、交流过流、速度偏差过大、接地故障、缺相等。

2、硬件故障检测:电流板故障、触发板故障、IGBT故障、脉冲发生器故障等。

3、系统故障监测:Watchdog故障、系统参数异常、时钟故障等。

4、通讯故障监测:TIMEOUT、OVERRUN等。

5、电源故障监测:当控制电源过高/过低时。


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GTO晶闸管的基本电路和工作特点是:

①在门较G上加正电压或正脉冲(开关S和至位置1)GTO晶闸管即导通。其后，即使撤消控制(开关回到位置0)，GTO晶闸管仍保持导通。可见，GTO晶闸管的导通过程和SCR的导通过程完全相同。

②如在G、K间加入反向电压或较强的反向脉冲(开关和至位置2)，可使GTO晶闸管关断。 用GTO晶闸管作为逆变器件**了较为满意的结果，但其关断控制较易失败，故仍较复杂，工作频率也不够高。而几乎是与此同时，大功率管(GTR)迅速发展了起来，使GTO晶闸管相形见绌。因此，在大量的中小容量变频器中，GTO晶闸管已基本不用。但其工作电流大，故在大容量变频器中，仍居主要地位。

逆变器件的介绍:上次我们向大家介绍了普通晶闸管(SCR)和门较关断晶闸管(GTO)，重要是让大家了解变频器中逆变器件是如何工作的，它们起到什么作用!接下来我们讲:大功率晶体管(GTR)-大功率晶体管，也叫双较结型晶体管(T)。

1、 变频器用的GTR一般都是(复合管)模块，其内部有三个较分别是集电极C、**较E和基较B。根据变频器的工作特点，在晶体管旁还并联了一个反向连接的续流二极管。又根据逆变桥的特点，常做成双管模块，甚至可以做成6管模块。

2、 工作时状态 和普通晶体管一样，GTR也是一种放大器件，具有三种基本的工作状态:

⑴放大状态 起基本工作特点是集电极电流Ic的大小随基较电流Ib而变 Ic=βIb 式中β------GTR的电流放大倍数。

GTR处于放大状态时，其耗散功率Pc较大。设Uc=200V，Rc=10Ω，β=50，Ib=200(0.2A) 计算如下:Ic= βIb=50*0.2A=10A Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW ⑵饱和状态 Ib增大时，Ic随之而增大的状态要受到欧姆定律的制约。当 βIb>Uc/Rc 时，Ic=βIb的关系便不能再维持了，这时，GTR开始进入"饱和"状态。而当 Ic的大小几乎完全由欧姆定律决定，即 I≈Uc/Rc 时，GTR便处于深度饱和状态(I 为饱和电流)。这时，GTR的饱和压降Uces约 为1-5V。

GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。上例中，设Uces=2V，则 I=Uc/Rc=200/10A=20A Pc=UcesI=2*20W=40W

可见，与放大状态相比，相差甚远。

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