西安高纯五氧化二钽靶材品牌 Ta2O5靶材 可加工定制

当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者较小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品

在可见和近红外区有高的透过率和反射率 ,已应用于增透膜、激光器、光通讯、太阳能电池等元器件上。五氧化二钽膜层又具有高介电常数 ,也是制造薄膜电容器的重要材料

制备Ta2O5薄膜的方法有很多,常见的有化学气相沉积法[2-3]、DC或RF溅射法[4-6]、电子束蒸发法[7-8]、溶胶凝胶法[9-12]等.与传统的物理化学方法相比较,溶胶凝胶法不需要真空条件和太高的温度,可在任意形状的基片上成膜,制备过程容易控制,体系的化学均匀性好,而且通过自组装和模板作用可用于合成具有高比表面积的介孔材料

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