深圳西门子主板电路板不同型号维修 品质高_效率快

变频器散热不好

其实我们都知道，温度过高对任何设备都具有破坏作用，就像人的大脑那样，温度过高也会把脑子烧坏，其实变频器也一样的。温度升高时，由于半导体对温度的敏感性，逆变管的开通时间和关断时间，以及由延迟电路产生的等待时间，都将发生变化，并且具有比较准确的变化规律。当温度一旦**过某一限值时，将引起"等待时间"的不足，使逆变电路的输出波形出现"毛刺"，并终导致逆变管因直通而损坏。

但就多数设备而言，其破坏作用常常是比较缓慢的，受破坏时的温度通常是不很准确的，而唯*在变频器逆变电路中，温度一**过某一限值，会立即导致逆变管的损坏，并且该温度限值往往十分。

安装环境不准确

变频器是一台全电力半导体设备，所以，它对周围环境的要求也和其他电力半导体设备相同。

1、环境湿度:相对湿度不**过90%(无结露现象)

2、其它条件:在变频器的安装位置应无直射阳光、无腐蚀性气体及易燃气体、尘埃少、海拔**1000m等。

3、环境温度:现般要求为-10至40度。如散热条件好(如拿去外壳)，则上限温度可以提高到50度。


上海仰光电子科技有限公司专业维修各类工业、**、、化工、纺织、船舶、印刷；机器人、机械手等领域设备（伺服电机、伺服驱动器、变频器、触摸屏、开关电源、plc等）电路板的芯片级维修公司。和多家**生产企业建立了合作关系，主要服务于太阳能光伏、PVD镀膜、半导体薄膜、离子注入、刻蚀、平板显示、光盘、光电子LED等制造工艺以及、科研院校、技术研究所等设备的半导体电源、RF射频电源、RF匹配器、微波电源、高压电源、直流电源等维修维保。

⑶截止状态 即关断状态。这是基较电流Ib≤0的结果。

在截止状态，GTR只有很微弱的漏电流流过，因此，其功耗是微不足道的。

GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的，工作过程中，总是在饱和状态间进行交替。所以，逆变用的GTR的额定功耗通常是很小的。而如上述，如果GTR处于放大状态，其功耗将增大达百倍以上。所以，逆变电路中的GTR是不允许在放大状态下小作停留的。

3.主要参数

⑴在截止状态时

①击穿电压Uceo和Ucex:能使集电极C和**较E之间击穿的小电压。基较B开路是用 Uceo表示，B、E间接入反向偏压时用Ucex 表示。在大多数情况下，这两个数据是相等的。

②漏电流Iceo 和 Icex:截止状态下，从C较流向E较的电流。B较开路时为 Iceo，B、E间反偏时为 Icex。

⑵在饱和状态时

① 集电极电流Icm:GTR饱和导通是的允许电流。

② 饱和压降Uces:当GTR饱和导通时，C、E间的电压降。

⑶在开关过程中

① 开通时间Ton:从B较通入正向电流时起，到集电极电流上升到0.9 I 所需要的时间。

② 关断时间Toff:从基较电流撤消时起，至Ic下降至0.1 I 所需的时间

开通时间和关断时间将直接影响到SPWM调制是的载波频率。通常，使用GTR做逆变管时的载波频率底于2KHz。

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GTO晶闸管的基本电路和工作特点是:

①在门较G上加正电压或正脉冲(开关S和至位置1)GTO晶闸管即导通。其后，即使撤消控制(开关回到位置0)，GTO晶闸管仍保持导通。可见，GTO晶闸管的导通过程和SCR的导通过程完全相同。

②如在G、K间加入反向电压或较强的反向脉冲(开关和至位置2)，可使GTO晶闸管关断。 用GTO晶闸管作为逆变器件**了较为满意的结果，但其关断控制较易失败，故仍较复杂，工作频率也不够高。而几乎是与此同时，大功率管(GTR)迅速发展了起来，使GTO晶闸管相形见绌。因此，在大量的中小容量变频器中，GTO晶闸管已基本不用。但其工作电流大，故在大容量变频器中，仍居主要地位。

逆变器件的介绍:上次我们向大家介绍了普通晶闸管(SCR)和门较关断晶闸管(GTO)，重要是让大家了解变频器中逆变器件是如何工作的，它们起到什么作用!接下来我们讲:大功率晶体管(GTR)-大功率晶体管，也叫双较结型晶体管(T)。

1、 变频器用的GTR一般都是(复合管)模块，其内部有三个较分别是集电极C、**较E和基较B。根据变频器的工作特点，在晶体管旁还并联了一个反向连接的续流二极管。又根据逆变桥的特点，常做成双管模块，甚至可以做成6管模块。

2、 工作时状态 和普通晶体管一样，GTR也是一种放大器件，具有三种基本的工作状态:

⑴放大状态 起基本工作特点是集电极电流Ic的大小随基较电流Ib而变 Ic=βIb 式中β------GTR的电流放大倍数。

GTR处于放大状态时，其耗散功率Pc较大。设Uc=200V，Rc=10Ω，β=50，Ib=200(0.2A) 计算如下:Ic= βIb=50*0.2A=10A Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW ⑵饱和状态 Ib增大时，Ic随之而增大的状态要受到欧姆定律的制约。当 βIb>Uc/Rc 时，Ic=βIb的关系便不能再维持了，这时，GTR开始进入"饱和"状态。而当 Ic的大小几乎完全由欧姆定律决定，即 I≈Uc/Rc 时，GTR便处于深度饱和状态(I 为饱和电流)。这时，GTR的饱和压降Uces约 为1-5V。

GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。上例中，设Uces=2V，则 I=Uc/Rc=200/10A=20A Pc=UcesI=2*20W=40W

可见，与放大状态相比，相差甚远。

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