通过射频磁控溅射的方法,采用TaN靶,在石英玻璃基底上成功制备了系列面心立方结构的多晶δ-TaNx薄膜,对薄膜的晶体结构、微观形貌、电学性质进行了系统研究,分析了溅射条件对薄膜结构和电输运性质的影响,并对δ-TaNx薄膜在不同温区的导电机制进行了探讨
应用反应射频磁控技术,在氧化铝陶瓷样片上制备了方阻稳定性好的Ta N薄膜,研究了氮分压(N2/(N2+Ar))、沉积温度、沉积时间对Ta N膜层结构和电性能的影响,通过X射线衍射、四探针方阻仪器测试了薄膜的微结构和方阻值
氮化钽贮存
1、通常对水是不危害的,若无许可,勿将材料排入周围环境。
2、常温常压下稳定避免的物料 氧化物。
3、常温密闭,阴凉通风干燥处
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