CGH40045F cree代理 科锐代理

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制造商:Cree, Inc.； 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管； RoHS:详细信息； 晶体管极性:Dual N-Channel； 技术:Si； Vds-漏源较击穿电压:65 V； Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms； 增益:16.5 dB； 输出功率:320 W； 大工作温度:+ 225 C； 安装风格:SMD/SMT； 封装 / 箱体:H-37275G-6/2； 封装:Reel； 工作频率:2110 MHz to 2200 MHz； 类型:RF Power MOSFET； 商标:Wolfspeed / Cree； 通道数量:2 Channel； 产品类型:RF MOSFET Transistors； 工厂包装数量:250； 子类别:MOSFETs； Vgs - 栅较-源较电压:10 V

X-波段的产品系列包括4个新的GaNHEMT晶体管，两个卫星通信（CGHV96050F1和CGH96100F1）和两个商业雷达的应用（CGHV96050F2和CGHV96100F2）。所有四个晶体管提供小尺寸封装（0.9×0.7“）。
和效率高的优点，在使用这些新的GaN器件多可到三倍较大时相比，可用的GaAs MESFET晶体管。另外，视频带宽宽的GaN HEMT晶体管允许在多载波应用中的使用与双音间距高达70MHz。
完全匹配的GaN HEMT晶体管补充以前发布的包装MMIC产品，*的CMPA5585025F和CMPA801B025F，也可作为驱动的CGHV96050或CGHV96100。

2019年5月15日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为SiC（碳化硅）半导体的****者，成为大众汽车集团（Volkswagen Group）FAST（Future Automotive Supply Tracks，未来汽车供应链）项目SiC（碳化硅）合作伙伴。FAST的目标旨在推进共同合作，比以往较为快速地实施技术创新，并且较有效率地、较有效果地实现**汽车项目。
大众汽车集团采购负责人Michael Baecker先生表示：“大众汽车集团计划在未来10年发布近70款新电动车型，而此前只是计划50款。预计在未来10年，基于大众汽车集团电动汽车平台生产的汽车数量将从1500万辆增加至2200万辆。一个有效的（产业生态）网络是我们**成功的关键。我们的FAST合作伙伴都是我们的战略伙伴，每个合作伙伴都是其各自领域的*。我们希望一起塑造汽车的未来。”
这项协议将两场同时进行的产业变革联结在了一起：汽车产业正在经历从内燃机向EV电动汽车的转型；而在半导体产业，SiC（碳化硅）的采用正在不断增长。这项协议同时也将推动双方的创新，有助于大众汽车集团较好地服务他们的客户。
SiC（碳化硅）的采用将加速汽车产业向EV电动汽车的转型，帮助实现较高的系统效率，从而为EV电动汽车带来较长的行驶里程、较快的充电，同时降低成本、降低重量和节约空间。
Cree**执行官Gregg Lowe先生表示：“Cree技术正处于EV电动汽车这场巨大变革的**。我们全力支持汽车产业朝着较高效率和采用较高性能SiC（碳化硅）基解决方案的转变。我们非常荣幸地与大众汽车集团达成合作。大众汽车集团是**汽车领域的重要力量，并坚定地致力于EV电动汽车。此次合作将充分发挥SiC（碳化硅）的优势，帮助实现较长的行驶里程、较短的充电时间、较高的效率。我们期望能够助力大众汽车集团，推出满足未来的汽车。”
大众汽车集团和Cree将构建一级（tier one）紧密合作，通过功率模块供应，为未来的大众汽车集团汽车提供SiC（碳化硅）基解决方案。该项合作于2019年5月10日正式缔结和宣布。在不久之前的5月7日，Cree宣布将大幅提高SiC（碳化硅）MOSFET和晶圆的产能，以支持客户发展。

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。
CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及**视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数小可以达到11.5dB和13dB。

Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州三角研究园，过去近三十年来一直属于Cree公司，是碳化硅功率器件和碳化硅基氮化镓射频功率解决方案的主要供应商之一。其**竞争力包括碳化硅晶圆衬造，以及面向射频功率器件、包含单晶氮化镓层的碳化硅晶圆衬造。这些**竞争力，加上**过500名技术精湛的员工，以及囊括大约2000项已经授予或正在申请的**的强大知识产权组合，能够与英飞凌2015年初收购**整流器公司所获得的技术和资源形成良好互补。Wolfspeed基于碳化硅的产品组合是英飞凌产品组合的理想补充。
基于化合物半导体技术的功率管理解决方案具备多重优势，能够让英飞凌的客户开发出能效较高、面积较小、成本较低的系统。结合两家公司丰富的技术、产品组合和制造能力，英飞凌和Wolfspeed可以加快相关组件的开发进程，帮助客户开发出差异化系统。可以受益于碳化硅技术的主要应用领域包括可再生能源和汽车电子。这两个应用领域均可受益于较高的功率密度和能源效率。在汽车电子应用领域，它很好地顺应近期迅速发展的插电式混合动力汽车和纯电动汽车（xEV）的趋势。组合两家企业和产品技术组合和**竞争力，可大大加快基于化合物半导体技术的新产品的上市速度。
诸如5G等新一代蜂窝基础设施制式将采用高达80 GHz的频率。只有**的化合物半导体器件能够在如此之高的频率下实现所需的效率。硅基氮化镓器件支持较高的组件集成度，在高达10 GHz的工作频率下具备明显优势。碳化硅基氮化镓器件可以在高达80 GHz的频率下实现大效率。两种技术对于新一代蜂窝基础设施制式均十分重要。结合自身的硅基LDMOS产品，在收购Wolfspeed之后，英飞凌将成为业界广博的射频功率组件供应商。

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