PTMC210124MD-V1-R5 cree代理 科锐代理

2019年5月15日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为SiC（碳化硅）半导体的****者，成为大众汽车集团（Volkswagen Group）FAST（Future Automotive Supply Tracks，未来汽车供应链）项目SiC（碳化硅）**合作伙伴。FAST的目标旨在推进共同合作，比以往较为快速地实施技术创新，并且较有效率地、较有效果地实现**汽车项目。
大众汽车集团采购负责人Michael Baecker先生表示：“大众汽车集团计划在未来10年发布近70款新电动车型，而此前只是计划50款。预计在未来10年，基于大众汽车集团电动汽车平台生产的汽车数量将从1500万辆增加至2200万辆。一个有效的（产业生态）网络是我们**成功的关键。我们的FAST合作伙伴都是我们的战略伙伴，每个合作伙伴都是其各自领域的*。我们希望一起塑造汽车的未来。”
这项协议将两场同时进行的产业变革联结在了一起：汽车产业正在经历从内燃机向EV电动汽车的转型；而在半导体产业，SiC（碳化硅）的采用正在不断增长。这项协议同时也将推动双方的创新，有助于大众汽车集团较好地服务他们的客户。
SiC（碳化硅）的采用将加速汽车产业向EV电动汽车的转型，帮助实现较高的系统效率，从而为EV电动汽车带来较长的行驶里程、较快的充电，同时降低成本、降低重量和节约空间。
Cree**执行官Gregg Lowe先生表示：“Cree技术正处于EV电动汽车这场巨大变革的**。我们全力支持汽车产业朝着较高效率和采用较高性能SiC（碳化硅）基解决方案的转变。我们非常荣幸地与大众汽车集团达成合作。大众汽车集团是**汽车领域的重要力量，并坚定地致力于EV电动汽车。此次合作将充分发挥SiC（碳化硅）的优势，帮助实现较长的行驶里程、较短的充电时间、较高的效率。我们期望能够助力大众汽车集团，推出满足未来的汽车。”
大众汽车集团和Cree将构建一级（tier one）紧密合作，通过功率模块供应，为未来的大众汽车集团汽车提供SiC（碳化硅）基解决方案。该项合作于2019年5月10日正式缔结和宣布。在不久之前的5月7日，Cree宣布将大幅提高SiC（碳化硅）MOSFET和晶圆的产能，以支持客户发展。
CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，*大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。
CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及**视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数*小可以达到11.5dB和13dB。

科锐的 CGD15FB45P 6通道 SiC MOSFET 驱动器是一款 6包栅较驱动器，针对科锐 CCSxxxM12CM2 电源模块进行了优化。这款驱动器的*大电压达 1200V，包含 Desat 和 UVLO，专为工程和评估应用而设计。
X-波段的产品系列包括4个新的GaNHEMT晶体管，两个卫星通信（CGHV96050F1和CGH96100F1）和两个商业雷达的应用（CGHV96050F2和CGHV96100F2）。所有四个晶体管提供小尺寸封装（0.9×0.7“）。
和效率高的优点，在使用这些新的GaN器件*多可到三倍较大时相比，可用的GaAs MESFET晶体管。另外，视频带宽宽的GaN HEMT晶体管允许在多载波应用中的使用与双音间距高达70MHz。
完全匹配的GaN HEMT晶体管补充以前发布的包装MMIC产品，*的CMPA5585025F和CMPA801B025F，也可作为驱动的CGHV96050或CGHV96100。
Cree公司（纳斯达克：CREE）宣布推出其高效率的X-波段，完全符合商业的雷达和卫星通信应用的GaN HEMT晶体管。这些新的GaN器件的额定功率为50W和100W现有的GaAsMESFET晶体管或行波管（TWT）的放大器。

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