C4D20120A cree代理 科锐代理

Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。 GaN具有优异的性能相比，硅或砷化镓，包括更高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了更大的功率密度和更宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器，使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装，配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
Cree 公司是市场上**的革新者与半导体的制造商，通过显着地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的价值。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域*特的材料专业知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理更大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热更低。 Cree将能源回归解决方案(ROE?)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将更亮、更可调节的发光二极管用于一般照明、获得更鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的*佳电力管理、以及更为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二极管芯片、照明用发光二极管、背光发光二极管、电源开关器件、以及广播/无线设备。

作为碳化硅 (SiC) 电源产品的**者，Cree 旗下的 Wolfspeed 公司推出了一款 1000V MOSFET，可以降低整体系统成本，同时提高系统效率和减小系统尺寸。新的 MOSFET 专门针对快速充电和工业电源进行了优化，使得组件数量减少了 30％，同时功率密度提高了 3 倍，输出功率提高了 33％。
“Wolfspeed 的技术支持非机载充电站的广泛应用，使更小，更高效的充电系统能够以更低的总成本进行更高功率的充电。这个市场需要高效率和较宽的输出电压范围，以应对汽车供应商推出的各种电动汽车电池电压。“ Wolfspeed **技术官 John Palmour 解释说。
“Wolfspeed 新推出的 1000V SiC MOSFET 为系统设计师提供**快的开关速度，而硅 MOSFET 的开关损耗十分有限。该器件提供的品质因数**出了任何竞争对手的硅基 MOSFET。” Palmour 补充说。
通过推出其 1000V SiC MOSFET，Wolfspeed 以业界*完整的器件组合**市场。Wolfspeed 是**家在 2011 年发布符合商业标准的 SiC MOSFET 的公司，直到今天仍然是*者，并致力于提供优秀的技术和价值观。
设计人员能够通过 1000 Vds SiC MOSFET 额定值来实现从硅基三电平拓扑转换为更简单的两电平拓扑，从而减少组件数量。通过**低输出电容（低至 60pF）实现在降低占用面积的同时增加输出功率，从而显着降低开关损耗。该器件使得操作能够在更高的开关频率下进行，这缩小了谐振储能元件的尺寸并降低了总损耗，因此降低了散热器的要求。Wolfspeed 通过构建一个 20kW 全桥谐振 LLC 转换器并将其与市面**的 15kW 硅系统进行比较，从而确定了这些证明点。

CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
? 氮化镓高迁移率晶体管
? 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
? 典型输出功率分别为200W和50W
? 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和*小可达到13dB
? 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
? 工作温度为-40℃~150℃
? 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
? 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
? 卫星通讯
? **视距通信
科锐的 CGD15FB45P 6通道 SiC MOSFET 驱动器是一款 6包栅较驱动器，针对科锐 CCSxxxM12CM2 电源模块进行了优化。这款驱动器的*大电压达 1200V，包含 Desat 和 UVLO，专为工程和评估应用而设计。

Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供更大的功率密度和更宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现较宽的带宽

PXAC213308FV-V1-R2
制造商:Cree, Inc.； 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管； RoHS:详细信息； 晶体管极性:Dual N-Channel； 技术:Si； Vds-漏源较击穿电压:65 V； Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms； 增益:16.5 dB； 输出功率:320 W； *大工作温度:+ 225 C； 安装风格:SMD/SMT； 封装 / 箱体:H-37275G-6/2； 封装:Reel； 工作频率:2110 MHz to 2200 MHz； 类型:RF Power MOSFET； 商标:Wolfspeed / Cree； 通道数量:2 Channel； 产品类型:RF MOSFET Transistors； 工厂包装数量:250； 子类别:MOSFETs； Vgs - 栅较-源较电压:10 V

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