无锡RLP-50+微波射频 射频放大器

CREE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz雷达放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
TGA4508主要特点
?典型频率范围：30 - 42 GHz
?21 dB标称增益
?2.8 dB标称噪声系数
?14 dBm标称P1dB @ 38 GHz
?偏置3 V，40 mA
?0.15um 3MI pHEMT技术
?芯片尺寸1.7 x 0.8 x 0.1 mm
（0.067 x 0.031 x 0.004）in
主要应用
?点对点无线电
?点对多点无线电
?Ka Band VSAT

Qorvo的TGA2239-CP是一款3级，50W功率放大器，工作频率范围为13.4至15.5GHz。 该高性能放大器采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC技术制造，提供> 30dB的小信号增益和> 31％的PAE，使系统设计人员能够以经济高效的方式实现**的性能水平。

Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz雷达放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有**的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。
射频**作为手机通信的**组件，直接影响着手机的信号收发。对早期5G智能手机而言，射频**是推动5G手机价格上涨的主要原因之一，并且由着5G手机频段的增加，射频**的复杂度也大大提高。尽管射频**集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
多天线收发（MIMO）和载波聚合（CA）技术在5G时代继续延续，使得射频**的复杂度大大上升。通过对三星Galaxy S10+ 5G（Sub 6G）和4G版的拆机对比，射频****从4G版的31美金上升到46美金，价格上升幅度接近50%，射频**BOM占比从4G版本的7%提高到了9%。对早期5G智能手机而言，射频**是推动5G手机价格上涨的主要原因之一。
5G射频**芯片集成度进一步提高，国**频产业快速发展：射频**从过去的分立器件、FEMiD，再到PAMiD，集成度逐渐提高，主要原因是受到基带芯片发展的推动。目前射频**市场主要由Skyworks、Broadcom、Qorvo、Murata四大IDM厂商垄断。我们认为，高集成度、一体化是射频**产品的**竞争力，拥有全线技术工艺能力的供应商会占据大部分市场。尽管射频**集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
MIMO技术在5G的延续使得天线数量进一步提升，LDS与FPC仍会是Sub 6G手机的主流天线方案；而在毫米波频段，天线尺寸做到较小，从而直接封装到射频**芯片当中（Aip）。Aip封装是手机射频领域的一次革新，对传统天线厂商来说可能意味着**链的重新分配。
2019年国内运营商5G资本投入预算为400亿元，追赶年初预计的300亿元。5G投入提速利好整个智能手机产业链。高通、海思和三星的基带芯片均已出货。2019Q3随着各品牌5G手机的上市，市场有望迎来新一轮换机潮。我们预计2020年5G手机出货量有望**过2亿部，其中预计苹果7000万台、华为、三星各5000万台，小米、OV等品牌合计3000万台。
投资建议：5G时代射频**变革*大，受益首当其冲。从**范围来看，我们认为4G时代的四成员Skyworks、Qorvo、Murata和Avago（Broadcom）*先受益，有望继续保持**。同时重点关注切入射频**的基带芯片厂商：高通、海思（未上市）、MTK、紫光展锐（未上市）。国内来看，推荐射频开关、LNA**卓胜微，手机天线供应商信维通信、硕贝德、立讯精密；以及滤波器、电感**麦捷科技。
风险提示：1）5G大规模商用和消费电子起量不及预期；2）射频**市场**和技术壁垒较高，未来在5G射频**集成度进一步提升的情况下国内厂商面临市场份额丢失的风险。3）中美、日韩贸易摩擦影响消费电子供给；4）宏观经济下行压力短期难以消除，消费电子需求不及预期。

实现行业*高水平的功率、线性度和效率，充分提高 Ka 频段和 X 频段系统的性能
中国 北京，2019年6月20日 —— 移动应用、基础设施与*应用中**技术与 RF 解决方案的**供应商 Qorvo?, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合**Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵雷达应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业*高水平，且体积较小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。
QPA2212适用于Ka频段应用，可使宽带多载波系统的线性度达到行业*高水平。该功率放大器在27-31Ghz频段内提供20瓦RF功率。此外，还有14瓦的 QPA2211D 和7瓦的 QPA2210D 选项。单个 MMIC PA 提供的线性功率越高，越有可能降低成本和提高性能。QPA2212D 现可提供裸片版，封装版将于2019年8月份推出。
QPA1022 适用于X频段相控阵应用，在8.5-11 Ghz范围内可提供出色的功率附加效率---4瓦RF功率条件下高达45%。相较于先前产品，效率提升8%，同时还能提供24 dB大信号增益。这些功能可以充分提高功率和降低热量，增强可靠性并降低拥有成本。对于相同的功率预算，设计人员如今可创建较高密度的阵列，扩大功率的适用范围。QPA1022现面向客户提供封装和裸片两种版本。
Qorvo*和航空市场战略总监Dean White表示：“这些新放大器将扩大 Qorvo现有的庞大产品组合，为*应用提供差异化的GaN产品。两款新品的**功能和**封装技术充分运用了我们30多年来在这个市场设计和提供RF解决方案的专业经验，同时也为28GHz 5G网络设计商业化提供了可行方案。
Qorvo提供业界*全、*具创意的GaN-on-SiC产品组合，帮助客户显着提升效率和工作带宽Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始了批量生产。

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