PT62SCMD12 cree代理 科锐代理

PXAC213308FV-V1-R2
制造商:Cree, Inc.； 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管； RoHS:详细信息； 晶体管极性:Dual N-Channel； 技术:Si； Vds-漏源较击穿电压:65 V； Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms； 增益:16.5 dB； 输出功率:320 W； *大工作温度:+ 225 C； 安装风格:SMD/SMT； 封装 / 箱体:H-37275G-6/2； 封装:Reel； 工作频率:2110 MHz to 2200 MHz； 类型:RF Power MOSFET； 商标:Wolfspeed / Cree； 通道数量:2 Channel； 产品类型:RF MOSFET Transistors； 工厂包装数量:250； 子类别:MOSFETs； Vgs - 栅较-源较电压:10 V

**SiC**者CREE推出了业界**900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其*新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。追赶同样成本的Si 基方案，能够实现下一代较小尺寸、较高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。

CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及**视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数*小可以达到11.5dB和13dB。

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，*大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。
Cree公司（纳斯达克：CREE）宣布推出其高效率的X-波段，完全符合商业的雷达和卫星通信应用的GaN HEMT晶体管。这些新的GaN器件的额定功率为50W和100W现有的GaAsMESFET晶体管或行波管（TWT）的放大器。
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%

X-波段的产品系列包括4个新的GaNHEMT晶体管，两个卫星通信（CGHV96050F1和CGH96100F1）和两个商业雷达的应用（CGHV96050F2和CGHV96100F2）。所有四个晶体管提供小尺寸封装（0.9×0.7“）。
和效率高的优点，在使用这些新的GaN器件*多可到三倍较大时相比，可用的GaAs MESFET晶体管。另外，视频带宽宽的GaN HEMT晶体管允许在多载波应用中的使用与双音间距高达70MHz。
完全匹配的GaN HEMT晶体管补充以前发布的包装MMIC产品，*的CMPA5585025F和CMPA801B025F，也可作为驱动的CGHV96050或CGHV96100。

Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括较高的击穿电压，较高的饱和电子漂移速度和较高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供较大的功率密度和较宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现较宽的带宽

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