MRF151A 微波射频代理 RF微波器件 响应快 精度高

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有**的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。

CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫，高效率放大器在一个小封装在50欧姆。

移动应用、基础设施与*应用中**技术与RF解决方案的**供应商Qorvo?, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，截至2019年6月29日的2020财年*1季度财务业绩。按照GAAP计算的Qorvo 2020财年*1季度收入为7.76亿美元，毛利率为37.9%，稀释每股收益为0.33美元。
“Qorvo 6月当季的发展势头强劲，在技术组合和产品运营等方面的表现尤为亮眼。尽管**经济贸易形势不容乐观，我们依然实现了业务的有效管理，并对市场中潜在的发展推动因素加以充分利用。” Qorvo总裁兼**执行官Bob Bruggeworth表示：“展望未来，随着5G技术的日益发展以及物联网的迅猛增长，Qorvo将凭借优质的产品和**的技术继续保持行业成员的地位。”
此次公开的Qorvo未来的运营规划包括：
打入近地轨道卫星宽带GaN放大器市场并**主导地位，从而为**几乎所有地方提供OneWeb?太空互联网连接。
高频5GHz BAW滤波器使Wi-Fi 6产品组合进一步扩展，并签订基于BAW的iFEM的设计合同，从而实现行业**的范围、吞吐量和信号完整性。
签订共存BAW滤波器和LNA的设计合同，为General Motors?、Volkswagen?及其他汽车OEM提供支持。
将电源管理技术延伸至新的垂直市场，并提供电源管理解决方案，为包括Skil?电动工具在内的多种应用提供支持。
成为韩国**智能手机制造商的供应商，为2019年快速发展的5G**设备提供天线调谐、高频段及**高频段解决方案。
签订中国一家**OEM的设计合同，为即将上市的5G智能手机供应全套低频段、高频段和**高频段解决方案。
为Samsung?供应用于大众市场Galaxy A?系列的天线调谐、高频段PAD和Wi-Fi iFEM，显着提高在中端市场的市场占有率和营业额。
基于频段 1／3／7BAW的六工器开始大量出货，实现面向出口市场的较高阶的载波聚合，并供应多个中国**的智能手机OEM。
接到新发布的基于BAW的天线转换开关的订单，并获得**可编程5G天线调谐器（可执行孔径和阻抗调谐）的设计合同。
财务评论与前景预测：
Qorvo**财务官Mark Murphy表示：“Qorvo 6月当季的财务业绩建立在出色的经营指导方针的修订和整体移动需求增加的基础上，其中包括季度末向华为出货的*产品。6月当季自由现金流量创下记录，反映出公司强劲的运营创收能力、营运资本影响和资本支出控制。我们预测9月当季的财务业绩将继续受到美国***贸易限制的影响。”
Qorvo认为，其终端市场的需求环境能支持其对2019年9月当季的以下预期：
季度收入7.45-7.65亿美元。
根据非一般公认会计准则计算的毛利率约为46%-46.5%。
根据非一般公认会计准则计算的稀释每股收益为1.30美元，处于指导方针中点。

Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz雷达放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
Qorvo的QPA1022是一款基于GaN的SiC宽带功率放大器，工作频率为8.5至11GHz。它提供**过4瓦的饱和输出功率，24.5分贝的功率增益和**过10分贝的回波损耗。该放大器需要22伏电源，与射频输出和直流接地输入端口的集成直流阻断电容器匹配为50欧姆。该放大器采用4 x 4 x 0.85 mm QFN封装，适用于相控阵雷达和电子战应用。它也是支持测试仪器和商业通信系统的理想组件。

Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供*佳的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。

-/gbadfbe/-