等离子体刻蚀生产**技术汇编

　　01、具有降低边缘刻蚀速率之**部圆盘的等离子体刻蚀设备
　　002、使用低温蚀刻剂沉积与等离子体后处理的方向性二氧化硅蚀刻
　　003、等离子体刻蚀方法
　　004、于薄膜框架晶圆应用中利用部分预固化UV离型切割胶带的激光与等离子体蚀刻的晶圆切割
　　005、等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置
　　006、等离子体刻蚀设备及方法
　　007、一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
　　。
　　008、用于以激光和等离子体蚀刻的基板切割的遮罩残留物移除
　　009、等离子刻蚀设备
　　010、用于倒角蚀刻器的可调的**离子体禁区环
　　011、等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
　　012、一种48所M42300-1/UM型等离子体刻蚀机刻蚀效果的夹板
　　013、一种等离子体刻蚀设备
　　014、等离子蚀刻机上料架
　　015、用于高晶粒破裂强度与清洁侧壁的激光划线及等离子体蚀刻
　　016、用于晶圆切割的激光、等离子体蚀刻以及背面研磨方法
　　017、相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法
　　018、用于使用激光及等离子体蚀刻的晶圆切割的均匀遮蔽
　　019、使用双面UV可固化胶膜的激光与等离子体蚀刻晶圆切割
　　020、一种等离子体刻蚀基片的方法
　　021、等离子体刻蚀方法
　　022、一种等离子体刻蚀硅片夹具
　　024、蚀刻方法和等离子体处理装置
　　025、等离子刻蚀设备
　　026、等离子蚀刻装置
　　027、一种48所M42300-1/UM型等离子体刻蚀机刻蚀效果的工艺
　　028、等离子体蚀刻方法
　　029、具有离子加速器的双室等离子体蚀刻器
　　030、等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置
　　031、等离子体蚀刻前处理光刻胶而形成特征的方法和装置
　　032、使用UV-可黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆分割
　　033、用于等离子体干法蚀刻设备的成比例且均匀的受控气流传递
　　034、利用具有等离子体蚀刻的混合式多步骤激光划线工艺的晶圆切割
　　035、一种适应性耦合等离子刻蚀机
　　036、一种适应性耦合等离子刻蚀机
　　037、一种等离子体刻蚀硅片夹具
　　038、等离子体刻蚀机台
　　039、等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
　　040、一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺
　　041、一种适应性耦合等离子刻蚀机
　　042、用于等离子体蚀刻室中的离子铣削的系统、方法和设备
　　043、一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置
　　044、一种等离子体刻蚀装置及干法刻蚀设备
　　045、一种等离子体刻蚀设备进气装置
　　046、等离子蚀刻装置用硅部件及其制造方法
　　047、等离子体刻蚀方法
　　048、等离子体刻蚀AlSi的方法
　　049、一种等离子刻蚀用硅片夹具
　　050、一种用于感应耦合等离子体刻蚀机的信号过滤结构
　　051、等离子体蚀刻方法
　　052、用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置
　　053、等离子蚀刻的方法
　　054、用于等离子体蚀刻腔室的TCCT匹配电路
　　055、等离子蚀刻方法
　　056、一种等离子体刻蚀设备进气装置
　　057、一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法
　　058、一种等离子体刻蚀工艺的方法
　　059、使用混合式分裂束激光划线处理及等离子体蚀刻的晶圆切割
　　060、使用具有等离子体蚀刻的混合式电流激光划线制程的晶片切割
　　061、使用基板载具的混合激光与等离子体蚀刻晶圆切割
　　062、一种等离子体刻蚀方法及硅浅沟槽隔离方法
　　063、使用可物理性移除的遮罩的激光及等离子体蚀刻晶片切割
　　064、使用可水溶管芯附接膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割
　　065、一种等离子体刻蚀设备
　　066、一种等离子刻蚀设备的基片定位升降装置
　　067、一种等离子体刻蚀设备的腔室内衬
　　068、加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻
　　069、等离子体刻蚀系统的阻抗匹配方法
　　070、一种等离子刻蚀方法
　　071、用于使用激光划线和等离子体蚀刻的器件裁切的原位沉积掩模层
　　072、融合函数型数据描述的等离子刻蚀过程的故障检测方法
　　073、用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模
　　074、通过激光与等离子体蚀刻的基板切割所用的水溶性遮罩
　　075、等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法
　　076、等离子体刻蚀装置
　　077、一种干法等离子刻蚀机的反应腔
　　078、控制斜面边缘蚀刻等离子体室中的边缘排除的气体调节
　　079、等离子蚀刻装置
　　080、一种支撑针及等离子刻蚀设备
　　081、一种供气均匀的等离子体刻蚀装置及其中的气体供应装置
　　082、高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗方法
　　083、一种等离子刻蚀设备的基片定位升降装置
　　340、使用氩稀释的高压F2等离子体的高速蚀刻
　　341、一种等离子刻蚀用内聚焦环
　　342、聚焦环、等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法
　　343、在等离子体加工系统中蚀刻时减少光致抗蚀剂变形的方法
　　344、用于等离子体蚀刻机器的气体分布电极
　　345、一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及结构
　　346、等离子体刻蚀机台在维护工艺后的监控方法
　　347、用于对**类材料膜进行等离子体蚀刻的方法和装置
　　348、增强等离子体蚀刻性能的方法
　　349、用于在等离子体蚀刻期间屏蔽晶片不受带电粒子影响的设备和方法
　　350、在薄膜的等离子体蚀刻过程中探测终止点的方法和装置
　　351、探测方法、探测器和电极还原/等离子体刻蚀处理机构
　　352、使用交替淀积和蚀刻以及脉冲等离子体对高纵横比SOI结构进行没有切口的蚀刻
　　353、等离子体蚀刻方法
　　354、具双频偏压源及单频等离子体产生源的蚀刻腔室
　　355、磁控管等离子体用磁场发生装置、使用该磁场发生装置的等离子体蚀刻装置和方法
　　356、一种在使用下游等离子体的绝缘蚀刻器中的改进的抗蚀剂剥离
　　357、应用于约束等离子体反应室的半导体双镶嵌蚀刻制作过程
　　358、等离子体对III－V族化合物的干法刻蚀系统及刻蚀方法
　　359、基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备**细线条的方法
　　360、等离子体刻蚀**抗反射涂层的方法
　　361、碳化硅的等离子体刻蚀
　　362、可控制等离子体容积的蚀刻室
　　363、感应耦合等离子体深层刻蚀机
　　364、感应耦合等离子蚀刻机台及其电极结构
　　365、等离子体蚀刻方法
　　366、带有独立的等离子体密度/化学性质和离子能量控制的双频等离子体蚀刻反应器
　　367、等离子体蚀刻方法及装置
　　368、半导体器件的制造方法和等离子体蚀刻装置的清洁方法
　　369、次氟酸酯、氟代过氧化物和/或氟代三氧化物在碳氟化合物刻蚀等离子体中作为氧化剂的应用
　　370、等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法
　　371、等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置
　　372、等离子蚀刻机
　　373、等离子体蚀刻方法
　　374、一种利用二氧化硫混合气体***物的等离子刻蚀方法
　　375、感应耦合型等离子体刻蚀装置中使用的气体扩散板
　　376、制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备
　　377、利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置
　　378、等离子体蚀刻气体
　　379、使用脉动宽带光源原位监测等离子体刻蚀和淀积工艺的方法和装置
　　380、低污染、高密度等离子蚀刻腔体及其加工方法
　　381、等离子体蚀刻设备和用这种设备制造的液晶显示模块
　　382、在掩膜二氧化硅上钻孔的等离子蚀刻方法
　　383、一种等离子体蚀刻装置及其方法
　　384、等离子体蚀刻系统
　　385、半导体器件制造工艺中的等离子体蚀刻法

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