深圳华本天成**供应 IRF3205 功率场效应MOS管 质量稳定

  深圳华本天成**供应 IRF3205  功率场效应MOS管 质量稳定 
   IRF3205 是一款HEXFET功率场效应管采用**的工艺技术制造，具有较低的导通阻抗。IRF3205这种特性，加上**的转换速率，和以坚固**著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为较其***、应用范围**广的器件。 
   特点:  
开态电阻, Rds(on):8mohm
封装类型:TO-220AB TO-262 D2Pak
晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:55V 电流, Id 连续:110A Qg Typ： 97.3 nC FET极性: N型沟道 
**的工艺技术 贴片安装 低端通孔安装 **低导通阻抗 动态dv/dt率 175℃工作温度 **转换速率 **无铅环保！


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批号 : 较新 ;
封装 : TO220 ;
用途 : 照相机 ;
型号 : IRF3205 ;
** : IRF ;
类型 : 其他IC ;

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**名称 : 华本天成