ITO导电薄膜 电容屏

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       氧化铟锡1英文名称：Indium tin oxide英文别名：stannic; indium(+3) cation; oxygen(-2) anionCAS号：50926-11-9分子式：In2O5Sn分子量：428.343物化性质氧化铟锡(ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物(In2O3) and 锡（IV族）氧化物(SnO2)的混合物，通常质量比为90%In2O3，10% SnO2。它在薄膜状时，透明，略显茶色。在块状态时，它呈黄偏灰色。主要特性氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。
      ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法（ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用较多的是反应磁控溅射法），在透明**薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下，ITO膜层越厚，PET-ITO膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。
 
 
 

材质 PET薄膜 厂家(产地) 闽台 型号 1 宽度 50（mm） 拉伸性能 一般 透气性 良好 厚度 0.125（mm） 导电 150欧

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