感性负载直流电阻**测试仪批发

产品特征
1、本直流电阻测试仪用全新电源技术，具有性能稳定；
2、测量*；
3、体积小巧、使用方便；
4、测量精度高，数据重复性好

直流电阻测试电流选型参考标准:
10000KVA    以内电气设备可选择2A/3A直流电阻测仪
31500KVA    以内电气设备可选择 **直流电阻测试仪
50000KVA    以内电气设备可选择10A直流电阻测试仪
90000KVA    以内电气设备可选择20A直流电阻测试仪
120MVA      以内电气设备可选择40A直流电阻测试仪

产品简介
变压器绕组的直流电阻测试是变压器在交接、大修和改变分接开关后，**的试验项目。在通常情况下，用传统的方法(电桥法和压降法)测量变压器绕组以及大功率电感设备的直流电阻是一项费时费工的工作。为了改变这种状况，缩短测量时间以及减轻测试人员的工作负担，武汉高试电测实业有限公司开发了直流电阻测试仪(以下简称直阻仪)。采用全新电源技术，具有性能稳定，测量*、体积小巧、使用方便、测量精度高，数据重复性好等特点。是测量变压器绕组以及大功率电感设备直流电阻的理想设备。
本直流电阻测试仪符合地区标准GB6587-86《电子测量仪器环境试验总纲》及GB6593-86《电子仪器质量检定规则》的要求。

产品参数
项目	技术指标及参数	备注
测试电流	2.**，**，10A，20A，50A
测量范围	2.**：10mΩ～8Ω
**：  1mΩ～4Ω
10A： 1mΩ～2Ω
20A： 1mΩ～1Ω
50A： 1mΩ～500mΩ
测量准确度	±0.2%(满量程)
数据存储	255个
显示	液晶显示器	电阻显示为4 1/2位
较大分辨率	0.1μΩ
电源	AC 220V±22V，50Hz±2 Hz	保险管**
较大功耗	420W	测试电流为20A时
工作环境	环境温度：0℃～40℃；相对湿度：≤80%
外形尺寸	440*230*490mm3
重量	20kg

搜索：武汉高试电测实业有限公/

电力工程中的电气自动化几点技术探讨
发布日期：2015-09-17　点击：182次
一、单片机、集成曳路及工业控荆计算机的发展   
       以MCS-51为代表白8位机虽然仍占主导地位，但功能简单，指令集短小，**性高，保密性高，适于大批量生产的PIC系列单片机及CMS97C系列单片机等正在推广，而且单片机的应用范围已开始扩展至智能仪器仪表或不太复杂的工业控制场合以充分发挥单片机的优势另外，单片机的开发手段也较加丰富，除用汇编语言外，更多地是采用模块化的（-语言、PL/M语言。   
       在集成电路方面，需要**说明的是集成模拟乘法器和集成锁相环路及集成时基电路在自动控制系统中运用很广。在电机控制方面，还有**于产生PWM控制信号的HEF4752、TL494、SL E4520和 MA818等应用也相当广泛。   
       众所周知，电气自动化技术是当今世界较活跃、较充满生机、较富有开发前景的综合性学科与众多**的合成。其应用范围十分广泛，几乎渗透到国民经济各个部门，随着我国科技技术的发展，电气自动化技术也随之提高。 
二、交流调速控制理论日渐成熟  
       1971年，德国学者 F，Blaschke发表论文阐明了交流电机磁场定向即矢量控制的原理，为交流传动**控制奠定了理论基础。矢量控制的基本思想是仿照直流电动机的控制方式，把定子电流的磁场分量和转矩分量解耦开来，分别加以控制。这种解耦，实际上是把异步电动机的物理模型设法等效地变换成类似于直流电动机的模式，这种等效变换是借助于坐标变换完成的。它需要检测转子磁链的方向，且其性能易受转子参数，特别是转子回路时间常数的影响。加上矢量旋转变换的复杂性，使得实际的控制效果难于达到分析的结果。 
三、通用变频器开始大量投入实用   
       一般把系列化、批量化、占市场量较大的中小功率如400KVA以下的变频器称为通用变频器。从产品来看，**代是普通功能型U/F 控制型，多采用16位CPU，*二代为高功能型U/F型，采用32位DSP或双16位CPU进行控制，采用了磁通补偿器、转差补偿器和电流限制拄制器.具有挖土机和“无跳闸”能力，也称为“无跳闸变频器”。这类变频器！目前占市场份额较大。*三代为高动态性能矢量控制型。它采用全数字控制，可通过软件实现参数自动设定，实现变结构控制和自适应控制，可选择U/F频率开环控制、无速度传感器矢量控制和有速度传感器矢量控制，实现了闭环控制的自优化。从技术发展看，虽然电力半导体器件有GTO、GTI、IGBT，但以后两种为主，尤以IGBT为发展趋势：变频器的**性、可维修性、可操作性即所谓的RAs（ Reliabiliry，Availability，Serviceability）功能也由于采用单片机控制动技术而得以提高。   
四、变换器电路从低频向高频方向发展  
　　随着电力电子器件的较新，由它组成的变换器电路也必然要换代。应用普通晶闸管时，直流传功的变换器主要是相控整流，而交流变频船动则是交一直一交变频器。当电力电子器件进入*二代后，更多是采用PWM变换器了。采用PWM方式后，提高了功率因数，减少 了高次谐波对电冈的影响，解决了电动机在低频区的转矩脉动问题。   
　　但是PWM逆变器中的电压、电流的谐波分量产生的转矩脉动作用在定转子上，使电机绕组产生振动而发出噪声。为了解决这个问题，一种方法是提高开关频率，使之**过人耳能感受的范围，但是电力电子器件在高电压大电流的情况下导通或关断，开关损耗很大。开关损耗的存在限制了逆变器工作频率的提高。   
1986年美国威斯康星大学Divan教授提出谐振式直流环逆变器。传统的逆变器是挂在稳定的直流母线上，电力电子器件是在高电压下进行转换的‘硬开关’，其开关损耗较大，限制了开关在频率上的提高。而谐夺式直流环逆变器是把逆变器挂在高频振荡过零的谐振路上，使电力电子器件在零电压或零电流下转换，即工作在所谓的‘软开关’状态下，从而使开关损耗降低到零。这样，可以使逆器尺寸减少，降低成本，还可能在较高功率上使逆变器集成化。因此，谐振式直流逆变器电路较有发展前途。
五、全控型电力电子开关逐步取代半控型晶闸管   
     50 年代末出现的晶闸管标志着运动控制的新纪元。它是**代电子电力器件，在我国至今仍广泛用于直流和交流传动控制系统。随着交流变频技术的兴起，相继出现了全控式器件 ―CTR、GTO、P- MOSEFT等。这是*二代电力电子器件。由于目前所能生产的电流/电压定额和开关时间的不同，各种器件各有其应用范围。   
    GTR的二次击穿现象以及其*工作区受各项参数影响而变化和热容量小、过流能力低等问题，使得人们把主要精力放在根据不同的特性设计出合适的保护电路和驱动电路上，这也使得电路比较复杂，难以掌握。   
    GTO是一种用门较可关断的高压器件，它的主要缺点是关断增益低，一般为 4～5，这就需要一个十分庞大的关断驱动电路，且它的通态压降比普通晶闸管高，约为 Zv～ 4.5v，开通di/dt和关断dv/dt也是限制 GTO推广运用的另一原因，前者约为500A/us，后者约为500V/us，这就需要一个庞大的吸收电路。   
    由于GIR、GTO等双极性全控性器件**要有较大的控制电流，因而使门较控制电路非常庞大，从而促进厂新一代具有高输人阻抗的 MOS结构电力半导体器件的一切。功率MOSFET是一种电压驱动器件，基本上不要求稳定的驱动电流，驱动电路只需要在器件开通时提供容性充电电流，而关断时提供放电电流即可，因此驱动电路很简单。它的开关时间很快，*工作区十分稳定，但是P-MOSFET的通态电压降随着额定电压的增加而成倍增大，这就给制造高压P-MOSFET 造成了很大困难。   
   IGBT是P-MOSFET工艺技术基础上的产物，它兼有MOSFET高输人阻抗、高速特性和GTR大电流密度特性的混合器件。其开关速度比 P-MOSFET低，但比GTR快；其通态电压降与GTR相拟约为1.5 V～3.5v，比P-MOSFET小得多，其关断存储时间和电流卜降时间为别为0.2us一04us和0.2us～1.5us，因而有较高的工作频率，它具有宽而稳定的安个工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。   
   MOS控制晶闸管（MCT）是一种在它的单胞内集成了MOSFET的品闸管，利用M OS 门来控制品闸管的开通和关断，具有晶闸管的低通态电压降，但其工作电流密度远高 IGBT和 GTR，在理论上可制成几千伏的阻断电压和几十千赫的开关频率，且其关断增益较高。   
   IGBT和MGT这一类复合型电力电子器件可以称为*三代器件。在器件的复合化的同时，模块即把变换器的双臂、半桥乃至全桥组合在一起大规模生产的器件也已进入实用。在 模块化和复合化思路的基础卜，其发展便是功率集成电路 PIC（Powerl， lntegratcd Cirrrrcute）， 在PIC，不仅主回路的器件，而且驱动电路、过压过流保护、电流检测甚至温度自动控制等作用都集成到一起，形成一个整体，这可以算作*四代电力电子器件。  

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湖北省武汉高试电测实业有限公司是国内高电压技术测试仪器和电力设备的**生产制造商，集研发、服务、扩展市场销售及网络销售平台于一体的工业生产体系高科技企业。为各类电力用户提供高电压试验研究为基础的应用测试仪器及检测的完备解决方案。公司注净资产1.32亿元。 占地面积约13亩，现有厂房面积6万平方米，拥有3家全资子公司，员工总数近300人，其*专以上*人员占52%。拥有多位教授及**工程师、享受国科院级津贴*等****人才。