材料成分分析

材料成分、特性与结构往往主宰着宏观世界里的物质特征 ，因此在新技术开发阶段或是失效分析领域中材料分析都扮演者重要的地位。
 材料表面形貌及成分分析
通过分析样品的表面/或近表面来表征材料。基于您所需要的资料,我们可以为您的项目选择较佳的分析技术。我们的绝大部分的技术使用固体样品，有时会用少的液体样品来获取固体表面的化学信息。在许多情况下材料表征和表面分析是很好的选择，绝大大部分属于两类: 
1）已知自己拥有什么样的材料，但是想要更多关于具体性能的信息，比如界面锐度、剖面分布、形态、晶体结构、厚度、应力以及质量。
2）您有对之不是*了解的材料，想找出有关它的成份、沾污、残留物、界面层、杂质等。

扫描电子显微镜/X射线能谱仪(SEM/EDS)
    扫描电子显微镜/X射线能谱仪（SEM/EDS）是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时，被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子，以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。原则上讲，利用电子和物质的相互作用，可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息，如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。SEM/EDS正是根据上述不同信息产生的机理，对二次电子、背散射电子的采集，可得到有关物质微观形貌的信息，对x射线的采集，可得到物质化学成分的信息
应用范围：
1．材料组织形貌观察，如断口显微形貌观察，镀层表面形貌观察，微米级镀层厚度测量，粉体颗粒表面观察，材料晶粒、晶界观察等。
2．微区化学成分分析，利用电子束与物质作用时产生的特征X射线，来提供样品化学组成方面的信息，可定性、半定量检测大部分元素（Be4-PU94），可进行表面污染物的分析，焊点、镀层界面组织成分分析。根据测试目的的不同可分为点测、线扫描、面扫描；
3．显微组织及**微尺寸材料分析，如钢铁材料中诸如马氏体、回火索氏体、下贝氏体等显微组织的观察分析，纳米材料的分析
4．在失效分析中主要用于定位失效点，初步判断材料成分和异物分析。

俄歇电子能谱 (AES, Auger)
    俄歇电子能谱(AES、Auger)是一种利用高能电子束为激发源的表面分析技术.AES分析区域受激原子**出具有元素特征的俄歇电子。
    AES电子束可以扫描一块或大或小的表面.它也可以直接聚焦在小块表面形貌上（半导体产业经常要求这样）。聚焦电子束斑到10nm或较小的直径使得AES成为小表面形貌元素分析的非常有用的工具。此外，它能够在可调整的表面区域内栅蔽电子束从而控制分析区域的尺寸。当用来与溅射离子源的结合时, AES能胜任大、小面积的深度剖面。当与聚焦离子束(FIB)一起使用时,它对于截面分析是很有用的。
应用范围：
? 缺陷分析 
? 颗粒分析 
? 表面分析 
? 小面积深度剖面 
? 工艺控制 
? 薄膜成分分析
AES优点：
? 小面积分析（30纳米） 
? 良好的表面灵敏度 
? 良好的深度分辨率



飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)
    TOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion MassSpectrometry）采用一次的脉冲离子源激发固体表面的原子和分子基团脱附或离化。所产生的二次离子被加速到在质谱仪中，并按照从样品到检测器的飞行时间而分离。细聚焦的离子束在样品表面扫描形成成分图。深度分布用离子束将材料表面一层层除去的同时分析该层的质谱图而构建。
主要用途：
? 定性、定量分析，痕量杂质分析 
? 并行性分析原子和分子基团,**物和无机物分析
? 检测和分辨所有的元素和同位素
? 识别高分子量**分子
? 深度剖面分析
? 检测限达到十亿分之一 (ppb)
? 二维和三维表征

二次离子质谱(SIMS)
    二次离子质谱分析技术(SIMS)是用来检测低浓度掺杂剂和杂质的分析技术。它可以提供范围在数埃至数十微米内的元素深度分布。SIMS是通过一束初级离子来溅射样品表面。二次离子在溅射过程中形成并被质谱仪提取分析.这些二次离子的浓度范围可以高达被分析物本体水平或**ppm痕量级以下。
    SIMS可帮助客户解决产品研发、质量控制、失效分析、故障排除和工艺监测中的问题。 
SIMS应用：
? 掺杂剂与杂质的深度剖析 
? 薄膜的成份及杂质测定 （金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族） 
? **薄薄膜、浅植入的**高深度辨析率剖析 
? 硅材料整体分析，包含B, C, O,以及N 
? 工艺工具（离子植入）的**分析
SIMS应用优点：
? 优异的掺杂剂和杂*测灵敏度。可以检测到ppm或较低的浓度 
? 深度剖析具有良好的检测限制和深度辨析率 
? 小面积分析（10 μm 或较大） 
? 检测包含H在内的元素及同位素