供应BFQ591 NXP SR高频三极管

BFQ591
	BFQ591硅**高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于**高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于philips公司，现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的*微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品相同。
	BFQ591参数
	类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 　　集电极-**较电压VCEO：15V
	集电极-基较电压VCBO:20V           **较-基较电压VEBO:3.0V
	集电极直流电流IC:200mA            总耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W
	工作结温Tj:150℃         贮存温度Tstg:-65~150℃
	封装形式：SOT-89           功率特性：中功率        极性：NPN型
	结构：扩散型    材料：硅(Si)        封装材料：塑料封装 
	电性能参数（TA=25℃）：
	击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
	直流放大系数hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA
	集电极-基较截止电流ICBO:100nA(较大值)
	**较-基较截止电流IEBO:100nA(较大值)
	特征频率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA
	集电极允许电流IC：0.2（A）
	集电极较大允许耗散功率PT：2.25（W）
	插入功率增益∣S21∣：10dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
	功率增益GUM：11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
	反馈电容Cre：0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。

深圳市秉诚科技有限公司创建于1996年，经过不断努力，先后得到多家**生产商的认可授权，代理有长电的二三极管、闽台唯圣GW的肖特基二极管、AVX的钽电容及片状陶瓷电容、国巨（YAGEO）的片状陶瓷电容电阻、闽台厚声（ROYALOHM）片状电阻和闽台光颉（VIKING）的**精密低阻大功率的特殊电阻；并经销有日本TDK和MURATA片状电容，KEMET和NEC的钽电容，ROHM 、PHILIPS、ON的片状二三极管，闽台奇力新（CHILISIN）片状电感磁珠，配套供应电源IC及常规LM系列IC、发光二极管及保险管等。在数码，通讯，安防，玩具，家电产品，工控主板，变频器，LCD，汽车配件及电脑板卡和电脑周边电子产品各个领域都有**销售团队对口服务，是国内较早经营贴片电子元器件的公司之一。