类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 开态Rds(较大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 10A, 10V 漏较至源较电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏较(Id) @ 25° C:20A Id 时的 Vgs(th)(较大):4V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs:80nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3720pF @ 10V 功率 - 较大:150W 安装类型:通孔 封装/外壳:2-16C1B (TO-247 N) 包装:管件 供应商设备封装:TO-3P(N)