蒸发镀膜 通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面,称为蒸发镀膜。这种方法较早由M.法拉*于1857年提出,现代已成为常用镀膜技术之一。 蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源,待镀工件,如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽**真空后,加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量),并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜,常采用旋转基片或多蒸发源的方式以**膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程,以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1~0.2电子伏。 蒸发源有三种类型。①电阻加热源:用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质 电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料;②高频感应加热源:用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质;③电子束加热源:适用于蒸发温度较高(不**2000[618-1])的材料,即用电子束轰击材料使其蒸发。 蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比,具有较高的沉积速率,可镀制单质和不易热分解的化合物膜。 为沉积高纯单晶膜层,可采用分子束外延方法。 喷射炉中装有分子束源,在**高真空下当它被加热到一定温度时,炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度,沉积在基片上的分子可以徙动,按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜,薄膜较慢生长速度可控制在1单层/秒。通过控制挡板,可**地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种**晶格结构薄膜。镀膜技术 真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与加工的新技术,是表面工程技术领域的重要组成部分。真空镀膜技术是利用物理、化学手段将固体表面涂覆一层特殊性能的镀膜,从而使固体表面具有**损、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、防辐射、导电、导磁、绝缘和装饰等许多**固体材料本身的优越性能,达到提高产品质量、延长产品寿命、节约能源和获得显着技术经济效益的作用。因此真空镀膜技术被誉为较具发展前途的重要技术之一,并已在高技术产业化的发展中展现出诱人的市场前景。这种新兴的真空镀膜技术已在国民经济各个领域得到应用,如航空、航天、电子、信息、机械、石油、化工、环保、军事等领域。 真空蒸发镀膜设备主要用于在经予处理的塑料、陶瓷等制品表面蒸镀金属薄膜(镀铝、铬、锡、不锈钢等金属)、七彩薄仿金膜等,从而获得光亮、美观、;**的塑料,陶瓷表面金属化制品。广泛应用于汽车、摩托车灯具、工艺美术、装潢装饰、灯具、家具、玩具、酒瓶盖、化妆品、手机、闹钟、女式鞋后跟等领域。镇江双开门真空镀膜机 -宝来利真空机电-丹阳真空镀膜机由丹阳市宝来利真空机电有限公司()提供。
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