氮化铝 性状:白色粉末.规格:1-3μm 2-6μm 5-8μm -300目,-150目 用途:功率模块,向电子封装,测温保护管,高导热氮化铝陶瓷基片,LED,电器元件,砷化镓表面的氮化铝涂层,制作高导热树脂添加。大规模集成电路散热基板和封装材料,高频压电元件、**大规模集成电路基 产品特性:1.氮化铝粉末纯度高,粒径小,活性大,是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。 2.氮化铝陶瓷基片,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。 3.氮化铝硬度高,**过传统氧化铝,是新型的**陶瓷材料,但由于造**,只能用于磨损严重的部位. 4.利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、**大规模集成电路基片等。 5.氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成较薄的氧化膜。 利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用 化学成份;AlN≥99.9% N≥32.5% O≤1% Fe≤0.05% Cr≤0.005% Ni≤0.005%
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