随着特大规模集成电路(ULSI)的研发与生产,硅片(或称晶圆、圆片、晶片)的线宽不断减小,而晶圆直径却在不断增大。现阶段国内外 ULSI制备中仍以200 mm晶圆为主,预计到2007年后,300 mm晶圆将占主导地位。 在线宽不断减小的同时,对晶圆质量的要求也越来越高,特别是对硅抛光片表面质量要求越来越严格。这主要是由于抛光片表面的颗粒、金属污染、**物污染、自然氧化膜和微粗糙度等严重地影响着ULSI的性能和成品率。因此,晶圆表面清洗就成为ULSI制备中至关重要的一项工艺 。 目前半导体厂家广泛使用的仍是RCA(美国无线电公司)清洗法。RCA清洗法是经过多年的发展才形成的,它对于线宽为
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