昆明氮化铝靶材点做 AlN靶材

在半导体工业中，用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成化稼，可以完全消除Si对化稼的污染而得到高纯产品氮化铝也可以作热电偶保护套，在空气中800一一1000℃铝池中连续浸泡3000hI,J,I--Lk__,没有侵蚀破坏。氮化铝特性(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；(4)机械性能好，抗折强度**Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；(5)纯度高；(6)光传输特性好；(7)无毒；(8)可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。由于氮化铝压电效应的特性，氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。而探测器则会放置於矽晶圆上。只有非常少的地方能可靠地制造这些细的薄膜

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