氮化铝也可以作热电偶保护套,在空气中800一一1000℃铝池中连续浸泡3000hI,J,I--Lk__,没有侵蚀破坏。含有Si,Mg O的热压Al N制品。其导热系数达0.63W/cm.K,可以用作集成电路基板AlN可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望氮化铝可用于作真空蒸发和熔炼金属的容器,特别适于作真空蒸发铝的坩埚,因为氮化铝在真空中加热蒸汽压低,即使分解,也不会污染铝
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