氮化铝可用于作真空蒸发和熔炼金属的容器,特别适于作真空蒸发铝的坩埚,因为氮化铝在真空中加热蒸汽压低,即使分解,也不会污染铝含有Si,Mg O的热压Al N制品。其导热系数达0.63W/cm.K,可以用作集成电路基板产品的热压温度为1800 oC,压力30时间30min.加入CaF 2可以减少AI N的摩擦系数,因此可用作潜水泵减磨零件。在室温下,物质表面仍能探测到5-10纳米厚的氧化物薄膜。直至1370℃,氧化物薄膜仍可保护物质。但当温度**1370℃时,便会发生大量氧化作用。直至980℃,氮化铝在氢气及二氧化碳中仍相当稳定
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