含有Si,Mg O的热压Al N制品。其导热系数达0.63W/cm.K,可以用作集成电路基板利用氮化铝陶瓷具有较高的室温和高温强度,膨胀系数小,导热性好的特性,可以用作高温结构件热交换器材料等由于氮化铝压电效应的特性,氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。而探测器则会放置於矽晶圆上。只有非常少的地方能可靠地制造这些细的薄膜氮化铝可用于作真空蒸发和熔炼金属的容器,特别适于作真空蒸发铝的坩埚,因为氮化铝在真空中加热蒸汽压低,即使分解,也不会污染铝
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