分销MOS管 TSS10**0P

晶体管性:N Channel 
漏电流, Id 大值:100mA 
电压, Vds 大:30V 
开态电阻, Rds(on):8ohm 
电压 @ Rds测量:4V 
电压, Vgs 高:20V 
功耗:200mW 
工作温度范围:-55°C to +150°C 
封装类型:SOT-323 
封装类型:SOT-323 
晶体管类型:Small Signal 
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 
电压, Vds 典型值:30V 
电流, Id 连续:10mA 
表面安装器件:表面安装 
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏电流ID。当栅电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏电流ID随着栅电压的变化而变化。

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产品名称   产品型号   封装   代替或兼容
MOS管     JST2**0U TO-251 FQU2**0/STD2NK60Z-1
JST2**0D TO-252 FQD2**0/STD2NK60ZT4
JST2**0P TO-220 FQP2**0/STP2NK60Z
JST2**0F TO-220F FQPF2**0C/STF2NK60Z
JST5**0P TO-220 FQP5**0C/KHB4D5**0P
JST5**0F TO-220F FQPF5**0C/KHB4D5**0F
JST5**5F TO-220F 4**5/5**5
JST8**0P TO-220 FQP8**0C/MDP8**0TH
JST8**0F TO-220F FDPF7**0NZ/MDP8**0TH
JST8**5F TO-220F 7**5/8**5
JST10**0F TO-220F FDPF10**0NZ/STP10**0ZFP
JST10**5F TO-220F 10**5
JST12**0F TO-220F FDPF12**0NZ/STF12**0Z
JST12**5F TO-220F 12**5/
JST8N80F TO-220F FQPF8N80C/STP8N80ZFP
JST7N80F TO-220F FQPF7N80C/STP7N80ZFP
JST6N80F TO-220F FQPF6N80C/2SK2605
JST9N90F TO-3P FQPF9N90C/STP9NK90Z
JST50N06F TO-220 FQPF50N06/STP50N06F1
IRF3205 TO-220 IRF3205PBF

MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种性的载流子(多子)参与导电，是单型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

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