科晶OTF-1200X-50-DSL 定向CVD生长炉实验型设备

 性能指标和基本配置

炉体结构	采用双层壳体结构，并带有风冷系统 一个滑轨安装在炉体下端，可通过一6“的触摸屏来控制炉体移动方向、滑动速度和往返次数  采用高纯氧化铝纤维作为炉膛材料，并且表面涂有美国进口高温氧化铝涂层，可提高加热效率和延长使用寿命。
功率	1.5KW
电压	AC220V，单相
共工作温度	1200℃（≤1小时）
连续工作温度	1100℃
加热区域	加热区：200mm(单温区） 通过管堵位置和炉体移动可形成想得到的温度梯度
加热元件	掺钼铁铬铝（表面涂有高温氧化锆涂层，可延长其使用寿命）
炉管	高纯石英管  尺寸：50 mm OD x 46mm ID x 1000 mm L  仪器加热前，必须放入管堵，以防止热量辐射影响法兰的密封性
温控系统	采用PID方式调节温度，可设置30段升温、降温和保温程序 设置有温度过高和断偶保护系统 控温精度：±1℃ 可选测PC控制软件，将升温程序和温度曲线导入到电脑中
炉体滑动控制系统	触摸屏控制 炉体移动有手动和自动控制两种控制状态，在手动状态和自动状态下均可设定左右移动的速度，但只有在自动状态下才能设定左右移动的次数。 含蜂鸣报警器，当炉体触碰到限位开关就会产生报警，并切断控制电路，使炉体停止移动。  可显示高温炉内的炉温，与之通讯
密封法兰	仪器中配有一套不锈钢密封法兰（上面已安装不锈钢针阀和机械压力表 ● 法兰上有一Φ6.35的铠装孔，可将热电偶插入到炉管中，较准确地测量样品的实际温度
石英气体喷嘴	可选配石英气体喷嘴，将反应气体与缓冲清洗气体分开通入，可有效减少副反应发生，实现**CVD工艺，如局部控制前体浓度化学气相沉积工艺（ALC CVD）或单晶二维材料薄膜的生长工艺等。
真空度	● 10E-5 torr （用分子泵） ● 10E-2 torr （用直联式机械泵）
滑轨长度	1200mm
产品尺寸	● 315 x 300 x 380  mm (炉体) ● 1200 x 400 x 530 mm ( 整个外形) ● 360 x 180 x 300 mm（电器控制柜）
重量	100Kg
质量认证	CE certified
保修期	一年保修，终身技术支持。 特别提示： 1.耗材部分如加热元件，石英管，样品坩埚等不包含在内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。 点击查看售后服务承诺书。
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